【应用】IGBT模块A0-VS122PA300M7-L757F70用于75KW伺服驱动器,导通损耗降低20%

2019-08-19 Vincotech
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伺服驱动器在电机驱动控制中具有运行范围大、启动速度快、灵敏度高、无自转现象、噪音小的优点,被广泛应用于工业机器人及数控加工中心等自动化设备中,是现代运动控制的重要组成部分。高性能伺服驱动器一方面追求更加卓越的动态性能,一方面向模块化、小型化方向发展。因此,为内部的功率器件集成度、损耗、可靠性提出了更高的要求。VINCOTECH(威科)公司是全球领先的电力电子模块解决方案供应商,其生产的新一代E3系列IGBT模块,采用低损耗M7晶圆,导通损耗比IGBT4降低20%,实现更小的尺寸和更高的功率密度,应用在伺服驱动器上有助于优化产品尺寸,提高功率密度。该系列模块A0-VS122PA300M7-L757F70应用在75KW伺服驱动器中的应用方案如图1所示:

图1. 75KW伺服电机系统原理图


如上图所示,在功率转换单元部分,三相交流市电经过整流桥模块整流、滤波后,成为直流高电压,为后级逆变器提供稳定的电压支撑,后级三相逆变器根据DSP控制单元的输出驱动脉冲产生频率变化的正弦电压驱动电机的运转。整个功率单元电压转换为AC-DC-AC。在该方案中,逆变器半桥桥臂选择Vincotech(威科)公司VINcoDUAL E3系列的A0-VS122PA300M7-L757F70模块,该模块采用第7代三菱芯片和新型的SLC、IMB封装技术,具有超低的饱和压降,其饱和压降VCesat在Tj=150℃,IC=300A时最大值仅2.05V,并具有更高的可靠性,应用在大功率伺服驱动器中能进一步优化产品的尺寸、降低损耗,实现更高的功率密度。A0-VS122PA300M7-L757F70内部原理图如图2所示。

图2. A0-VS122PA300M7-L757F70内部原理图


在最大额定值方面,该功率模块半桥开关的集电极-发射极电压VCES高达1200V,门极驱动电压VGES为±20V,集电极电流IC为323A,重复峰值集电极电流ICRM高达600A,最大可承受耗散功率Ptot为621W,最高结温为175℃,具有高可靠性的优点。内部半桥二极管的重复峰值反向电压VRRM达1200V,连续正向电流IF为274A,重复峰值正向电流IFRM达600A,正向电压最大2.1V(@IF=300A,Tj=125℃),漏电流仅180uA,该二极管性能优异,损耗低,应用在功率电路部分无需为IGBT器件并联额外的二极管以降低损耗。


该功率模块绝缘电压高达4000V,爬电距离18.1mm,高绝缘电压可使桥臂之间布局更加紧凑, 有利于优化功率单元的体积。内部半桥开关、半桥二极管的结-壳热阻分别为0.094K/W、0.151K/W,壳-散热器热阻(@相变散热材料导热系数3.4W/mK)分别为0.059K/W、0.069K/W,低热阻有利用IGBT模块迅速散热,增强该模块高功率运行能力,避免出现热失控的风险。该模块采用压接式Press-fit管脚 ,预涂相变导热界面材料,并采用业界通用的EconoDUAL3封装,可pin to pin替换市面上同类产品,不但提高生产效率,而且具有更加优化的散热性能。



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产品型号
品类
产品状态
拓扑
电压(V)
电流(A)
模块高度 (mm)
晶圆工艺
封装
10-0B06PPA004RC-L022A09
SiC功率模块
Series production
PIM+PFC(CIP)
600V
4A
17mm
IGBT RC
flow 0B

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型号- 10-0B06PPA010RC01-L025A19,10-R106PPA020SB01-M934A,10-PC06PPA010SB-M683B06Y,10-0B06PPA010RC-L025A09,10-P006PPA010SB-M683BY,10-PX06PPA020SJ,10-F006PPA0**SB**-M68**,10-R106PPA0**SB**-M934A,10-PG06PPA0*0SJ01-LH5*E08T,10-F006PPA020SB-M685B,10-0B06PPA004RC-L022A09,10-F006PPA020SB01-M685B10,10-PG06PPA0*0SJ-LJ0*B08T,10-PG06PPA0*0SJ02-LH9*E08T,10-0B06PPA004RC-L022C09,10-0B06PPA006RC-L023A09,10-F006PPA010SB-M684B,10-F006PPA010SB-M683B,10-0B06PPA0**RC**-L02****

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2021-12-28 -  应用方案 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
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