【产品】TMA50N06H型号N沟道MOSFET，漏源电压60V，连续漏极电流50A
由无锡紫光微电子推出的TMA50N06H型号N沟道MOSFET，其漏源电压60V，连续漏极电流50A，具有快速切换的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能。
VDMOSFET是一种电流垂直流动的双扩散器件，是一种压控器件。在适当的栅极电压的控制下，半导体表面被反转，形成一个导电通道，并在漏极和源极之间流动适量的电流。与双极型晶体管相比，它的开关速度和开关损耗都很小。输入阻抗高，驱动功率低，频率特性好，特别是具有负温度系数。
主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。
TMA25N55H型号N沟道MOSFET的标记和封装信息：
设备：TMA50N06H
封装：TO-220F
标记：A50N06H
TMA25N55H型号N沟道MOSFET最大额定值（除非另有规定，否则Ta=25℃）：
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.IAS=50A, VDD= 50V, RG = 25Ω，初始TJ = 25°C
机械尺寸图：
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