【产品】漏源电压40V的N沟道增强型功率MOSFET RMD50N40DFV，ESD耐受能力高，散热性能好
丽正国际推出的RMD50N40DFV使用先进的沟槽技术和设计来提供优良的RDS(ON)，具有低栅极电荷，可以被广泛地应用。采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高，高密度单元设计，具有超低的Rdson，全面表征雪崩电压和电流。较好的稳定性和均匀性，EAS高。采用出色的封装，散热性能好。
特性
VDS=40V，ID=65A
RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=10V（典型值：6.8mΩ）
RDS(ON)<10mΩ@VGS=4.5V（典型值：8.5mΩ）
采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高
高密度单元设计，具有超低的Rdson
全面表征雪崩电压和电流
较好的稳定性和均匀性，EAS高
采用出色的封装，散热性能好
应用
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素
P/N后缀V表示符合AEC-Q101标准，例如：RMD50N40DFV
100%UIS测试！
100%∆Vds测试！
封装标记和订购信息
绝对最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）
电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）
备注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件：TJ=25℃，VDD=20V，RG=25Ω，L=0.5mH
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.表面贴装在FR4板上，t≤10秒
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