森国科凭借前沿的设计能力荣登了中国SiC功率器件设计十强榜单，现有碳化硅二极管和碳化硅MOSFET已达国际标准

时间： 2023-01-11 来源：森国科公众号

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2023年伊始，由行家说三代半和行家说Research主办的全球第三代半导体产业发展高峰论坛在深圳拉开了帷幕，全球众多领先企业精英云集于此，探讨产业的最新技术、应用经验与发展趋势，共同探索全球低碳经济高质量发展的有效路径。活动现场颁发了2022年度极光奖，森国科凭借前沿的设计能力荣登了中国SiC功率器件设计十强榜单！

极光奖作为是国内最具影响力的第三代半导体领域的奖项之一，受到国内外专业人士的高度认可与评价。

当下，在全球化的双碳战略推动下，国产化芯片的探索进程逐渐加快，碳化硅功率器件作为新能源汽车和"风光储"产业的核心电能变换器件，需求迎来大幅增长。森国科抢抓时代机遇，攻坚核心技术，通过优化设计和工艺制程，使得现有碳化硅二极管产品和碳化硅MOSFET产品已达国际标准，可为新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块等多个大型领域客户提供低成本、高性能的产品服务。

载荣载誉，奋力前行！2023年新篇章已然开启，森国科将继续加大研发投入，积极探索技术蓝海，为全球客户提供最适合的功率器件产品，打造出更符合国民生产生活的低碳发展路线。

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泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南

目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices

型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U

选型指南 - 泰科天润 - vol.02 - 2020/7/7 PDF 英文下载

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

商品及供应商介绍 - NOVUSEM PPTX 中文下载

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

应用方案发布时间 : 2024-09-27

成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.)成立于2019年，拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

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碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电，具备更高的效率、开关频率

碳化硅技术带来了更高的效率，可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时，更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸，实现更高的功率密度。此外，低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。

应用方案发布时间 : 2024-08-26

世强硬创获蓉矽授权，代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET，分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

签约新闻发布时间 : 2023-09-06

深圳市森国科科技股份有限公司（SGKS）是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、SJMOS，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区深圳湾生态科技园10A栋，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。

SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

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250W开关电源对碳化硅功率器件的需求正逐渐加大，碳化硅二极管KS10065-A的应用可提升电源效率

碳化硅二极管以其高效的导电性、耐高温和低能耗特点，在高频开关电源设计中显得尤其重要。相比于传统的硅二极管，森国科KS10065-A二极管能在更高的频率下工作，同时保持较低的热量输出，这直接提高了开关电源的效率和可靠性。

应用方案发布时间 : 2024-08-20

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

【选型】捷捷微电推出专为光伏逆变器设计的光耦产品，可实现输入输出的完全电器隔离

江苏捷捷微电子股份有限公司是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业，同时也是国内生产“方片式”单、双向可控硅最早及品种最齐全的厂家之一。本文主要介绍江苏捷捷微电子产品在光伏逆变器应用方案，详细内容如下。

器件选型发布时间 : 2023-01-18

KS50120-C2碳化硅二极管用于三相逆变器，具有更低的正向压降和更高的开关速度

在电力电子领域，随着技术进步和能效要求的提高，新型半导体材料碳化硅（SiC）因其卓越的性能而越来越受到关注。尤其是在高功率应用中，碳化硅二极管被广泛应用于三相逆变器中，表现出其独特的优势。5000W三相逆变器采用碳化硅二极管的优势、应用情况及其对行业的影响。森国科作为领先的国产化半导体供应商目前可以提供80多种型号的二极管产品，其中1200V、60A的二极管可适用于三相逆变器中。

应用方案发布时间 : 2024-08-20