【产品】漏源电压为30V的N沟道沟槽式MOSFET TTG120N03GT

时间： 2019-10-05 来源：无锡紫光微电子

技术问答

TTG120N03GT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为30V的N沟道沟槽式MOSFET。TTG120N03GT采用了沟槽功率MOSFET技术，具有低的漏源导通电阻和栅极电荷，电气性能出色，且针对快速切换应用进行了优化。该产品符合RoHS标准，是环保产品，适用于DC/DC转换器以及AC/DC转换器。

图1 TTG120N03GT的产品图

TTG120N03GT采用DFN5*6封装，小体积可减少器件占用的空间成本。产品的丝印代码即订购号为120N03AT。

最大额定值方面，TTG120N03GT的连续漏极电流为120A，脉冲漏极电流为480A，电流适应性强。单脉冲雪崩能量为135mJ，雪崩电流高达30A，抗浪涌性较好。耗散功率为106W。工作结温和存储温度为-55~+150℃，可应用于严苛的温度环境。

TTG120N03GT的漏源导通电阻最大仅3.4/4.7mΩ（V_GS=10/4.5V），产品的导通损耗较低。漏源体二极管反向恢复时间的典型值为60ns，产品响应速度较快。结壳热阻为1.18℃/W。

TTG120N03GT的特点：

沟槽功率MOSFET技术

低导通电阻

低栅极电荷

针对快速切换应用进行了优化

TTG120N03GT的应用：

DC/DC转换器

AC/DC转换器

TTG120N03GT的订购信息：

120N03AT

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由一号演员翻译自无锡紫光微电子，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】85V/105A/8.5mΩ的N沟道沟槽式MOSFET TTB/P105N08A

TTB105N08A和TTP105N08A是无锡紫光微的85V N沟道沟槽式MOSFET，分别采用TO-263和TO-220封装，具有低栅极电荷特性。器件的漏源电压最大额定值为85V；连续漏极电流最大额定值为105A，VGS=10V条件下的漏源导通电阻最大值8.5mΩ。

新产品发布时间 : 2020-08-11

【产品】TO-263封装的100V N沟道沟槽式MOSFET TMB140N10A，漏源导通电阻最大仅7.0mΩ

TMB140N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压最大额定值为100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用超低导通电阻的高密度单元设计，可充分界定雪崩电压和电流，高EAS使产品有高稳定性，符合RoHS标准，对环境友好，主要应用于电源开关，硬开关和高频电路，不间断电源。

新产品发布时间 : 2019-10-20

【产品】DFN5×6封装的30V N沟道沟槽式MOSFET-TTG160N03GT，导通电阻最大仅3mΩ

TTG160N03GT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为30V的N沟道沟槽式 MOSFET，该产品采用了沟槽功率MOSFET技术，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，针对快速切换应用进行了优化，适用于DC/DC和AC/DC转换器。

新产品发布时间 : 2019-11-07

【经验】以TMP120N10A为例说明MOSFET并联使用的注意事项

TMP120N10A是无锡紫光微电压100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品阻抗小、开关快，并联使用非常适合于低压、大电流情况下工作，主要应用于开关电源、硬开关、电机驱动、高频电路和不间断电源。本文以TMP120N10A为例，说明MOSFET并联使用需要关注的点。

设计经验发布时间 : 2020-05-19

【产品】用于DC/DC同步整流的双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A，漏-源导通电阻典型值低至19.5mΩ

台舟电子推出了双N沟道增强型功率MOSFET FS8205A。该产品采用了沟槽式功率技术，低导通电阻、低栅极电荷等特点。主要应用于DC/DC和AC/DC转换器的同步整流，以及电信和工业中的隔离式DC/DC转换器。

产品发布时间 : 2022-11-12

【选型】国产N沟道沟槽式MOSFET TMP80N10A在电动截止阀门中设计，可替换FMC80N10R6

考虑到供应保障和降成本需求，化工行业提出来核心器件国产化替代，电控阀门厂商在新设计截止阀门驱动器中采用紫光微TMP80N10A，Vdss/Id 值为100V/80A，封装也为TO-220,但静态参数漏源导通电阻RDSON低，动态参数栅级总电荷小、输入电容Ciss小等特性非常适合做F品牌替代设计。

器件选型发布时间 : 2020-12-26

【选型】紫光微100V N沟道沟槽式MOSFET应用于1-3KW小功率UPS，Trr低至62ns

UPS主要作用是稳压、稳频、抗电磁干扰和射频干扰、防浪涌冲击等作用来保护后端负载设备的安全用。本文重点介绍在1-3KW小功率UPS中DCDC部分国产化MOS的选型推荐。

器件选型发布时间 : 2020-12-15

【产品】TSSOP-8封装的20V N沟道沟槽式MOSFET-TTK8205A，25℃下耗散功率仅1.5W

TTK8205A是无锡紫光微电子推出的漏源电压为20V的N沟道沟槽式MOSFET，采用了沟槽功率MOSFET技术，具有低漏源导通电阻和低栅极电荷的特点，针对快速切换应用进行了优化，适用于DC/DC转换器，AC/DC转换器。

新产品发布时间 : 2019-11-12

【产品】150V N沟道沟槽式MOSFET TMD17N15A/TMP17N15A，静态漏源导通电阻最大仅85mΩ

TMD17N15A/TMP17N15A是漏源电压150V的N沟道沟槽式MOSFET，采用TO-252/TO-220封装，符合RoHS标准。产品针对快速开关应用进行了优化，导通电阻和栅极电荷较低。

新产品发布时间 : 2020-11-27

【产品】20V N沟道沟槽式MOSFET TTD150N02GT/TTP150N02GT

TTD150N02GT和TTP150N02GT是无锡紫光微电子推出的20V、N沟道沟槽式MOSFET，其中TTD150N02GT采用TO-252封装，TTP150N02GT采用TO-220封装。产品具有低漏源导通电阻，可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流等领域。

新产品发布时间 : 2019-11-18

【产品】30V/120A N沟道沟槽式MOSFET TTD120N03AT、 TTP120N03AT

TTD120N03AT, TTP120N03AT是无锡紫光微电子推出的两款漏源电压最大额定值为30V的N沟道沟槽式MOSFET，连续漏极电流最大额定值为120A，具有先进的技术与较高的性价比，其中 TTP120N03AT采用TO-220封装，TTD120N03AT则采用TO-252封装。

新产品发布时间 : 2019-10-27

【产品】60V N沟道MOSFET TTB145N06A，TTP145N06A，经过100％UIS测试，采用沟槽功率技术

无锡紫光微电子推出的 N沟道MOSFET TTB145N06A，TTP145N06A，经过100％ UIS测试，采用沟槽功率技术，具有低RDS(ON)，低栅极电荷等特点，漏源电压为60 V，结温和存储温度范围为-55 ℃至 175 ℃，可应用于 DC / DC和 AC / DC转换器中的同步整流，电信和工业中的隔离式 DC / DC转换器等领域。

新产品发布时间 : 2020-10-12

【产品】40V/80A N沟道沟槽式MOSFET TTD80N04AT/TTP80N04AT，栅漏电荷仅11nC

TTD80N04AT, TTP80N04AT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为40V的N沟道沟槽式MOSFET。TTD80N04AT采用TO-252封装, TTP80N04AT采用TO-220封装，具有低导通电阻、低栅极电荷等特点，并针对快速切换应用进行了优化，两款产品均符合ROHS标准，适合应用于开关变换器中。

新产品发布时间 : 2019-11-01

【产品】TO-220封装的100V N沟道沟槽式MOSFET TMP120N10A，单脉冲雪崩能量达1000mJ

TMP120N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压为100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用超低导通电阻的高密度单元设计，可充分界定雪崩电压和雪崩电流，高EAS使产品有高稳定性。该产品主要应用于电源开关，硬开关和高频电路，不间断电源。

新产品发布时间 : 2019-10-30

【产品】150V N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术

无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术，具有低RDS(ON)，低栅极电荷等特点，漏源电压为150 V，结温和存储温度范围为-55 ºC至 175 ºC，可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流，通信和工业中的隔离式DC / DC转换器等领域。

新产品发布时间 : 2020-10-04