【产品】SOT-23封装的瞬态抑制二极管MMBZ系列，峰值功率40W，适用于通信系统、医疗设备等领域
MMBZ系列是萨科微（SLKOR）推出的一款瞬态抑制二极管。该双单片硅齐纳二极管专门为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于电压和ESD敏感设备，如计算机，打印机，商用机器，通信系统，医疗设备和其他应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装保护两条独立的线路。该设备非常适合电路板空间有限的情况。
封装图和内部电路图
特点
无铅封装
SOT-23封装可进行两次单向配置或一次双向配置
反向峰值工作电压范围为3V至26V
标准齐纳击穿电压范围为5.6V至33V
峰值功率24或40瓦@1.0ms（单向），见图5波形
人体模型的ESD等级为N级(超过16千伏)
最大钳位电压@峰值脉冲电流。
低漏电流
阻燃等级UL94 V-O。
机械特性
外壳：无空隙的转模热固性塑料外壳。
表面处理：耐腐蚀表面处理，易于焊接。
用于焊接的最高外壳温度：260℃，持续10秒。
封装为最优的自动化组装设计。
封装尺寸小，适合高密度应用。
可用8毫米卷带包装。
使用设备号订购7英寸/ 3000片的卷筒包装。
将设备编号中的“T1”替换为“T3”，订购13英寸/ 10000片的卷筒包装。
极限参数
超过最大额定值表中列出的值可能影响设备的性能和可靠性，甚至会损坏设备。
不重复电流脉冲如见图5。降额因数高于TA=25℃见图6。
FR-5=1.0×0.75×0.62in.
氧化铝=0.4×0.3×0.024in.，99.5%氧化铝
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
单向（电路连接1、3引脚或2、3引脚）
该参数表是在所标示的测试条件下得出，若工作条件不同则特性也与给出参数表不同。
4. VBR是由脉冲测试电流IT在环境温度25℃条件下测得。
5.浪涌电流波形由图5表示，温度降额因数见图6。
*在适用情况下包括SZ前缀的设备。
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