【产品】高温1200V/20A碳化硅模块CHT-PLUTO-C1220,支持高频开关和减少冷却

2022-02-25 CISSOID
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CHT-PLUTO-C1220是一个高温1200V/20A碳化硅模块,在一个单独密封封装内包括一个MOSFET开关和一个肖特基二极管。该产品适用于实现异步降压转换器或升压转换器的功能,保证在-55℃至+210℃(Tj)的全范围内正常运行。每个MOSFET或二极管的击穿电压超过1200V,并能够切换电流高达20A。MOSFET在VGS=20V时,导通电阻阻值在25℃时为90mΩ;在210℃时为200mΩ。每个MOSFET都有一个本征体二极管。


产品优势:

高功率密度转换器(支持高频开关和减少冷却)

寿命长,可靠性高

恶劣环境和高温功率转换器

采用HADES®栅极驱动解决方案的无缝驱动


产品应用:

直流电机驱动和执行器控制

DC-DC转换器


特性(MOSFET)

规定范围-55°C ~ +210°C (Tj)

VDS最大值:1200V

最大连续电流:

20A @ Tc≤160°C

17A @ Tc=175°C

最大脉冲电流:25A

典型MOSFET导通电阻:

o RDSon= 40 mΩ @ Tj=25°C
o RDSon= 120 mΩ @ Tj=210°C

高速开关

电压控制:VGS=-5V/20V

低栅极电荷:QGS: 22nC


特性(二极管)

典型正向电压@20A : 1.5V

最大连续电流:20A

最大正向重复峰值浪涌电流: 35A

带隔离外壳的密封包装


原理框图

注:图示显示了MOSFET的本征体二极管


结构图

MOSFET

绝对最大额定参数:

栅源电压VGS:-5V~22V

漏源电压VDS:1200V

最大直流漏极电流IDS:20A

最高结温Tjmax:210℃

Tc=175°C 时功率损耗:45W


ESD等级

人体模式 >1kV


操作条件

栅源电压VGS:-5V~20V

漏源电压VDS:1200V

最大直流漏极电流IDS (Tc=175°C):17A

最大直流漏极电流IDS (Tc≤160°C):20A

最大脉冲漏极电流25A

结温 -55℃~+210℃


二极管

绝对最大额定参数:

直流阻断电压:1200V

连续正向电流:20A

最高结温Tjmax:210℃

Tc=175°C 时功率损耗:45W


ESD等级

人体模式 >2kV


操作条件

直流阻断电压:1200V

连续正向电流:20A

正向重复峰值浪涌电流:35A

结温 -55℃~+210℃


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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38RK600DFELB,IXFP20N50P3,MIXA...O...,CLA40MT1200NPZ,DPF60C200HB,IXBOD2-30R,IXYX120N120C3,DPG15I200PA,DSEP6-06BS,IXTH120N20X4,IXA12IF1200PB,IXTH02N250,IXFT120N25T,IXFK24N80P,DSS25-0025B,IXGP20N120A3,IXFK150N15P,DSTF30120C,ITF40PF1200DHGTLB,LSIC1MO120T0080,IXFX44N80Q3,IXFP26N30X3,DHG100X650NA,CLA100E1200TZ,IXFQ80N25X3,IXFN320N17T2,IXA40IF1200HR,IXYH55N120A4,IXTN30N100L,IXFT150N20T,IXTH62N65X2,IXTB30N100L,DSEP 2X...1-...,IXFH52N30P,IXFN26N120P,DSA15IM45UC,IXTJ6N150,IXYP15N65C3,DSEI12-06AS,MBRF10200CT,IXFK520N075T2,IXTH64N10L2,IXXK300N60C3,IXTT140N10P,IXFH26N60P,DSA30C150HB,DSSK50-01A,IXFK140N20P,IXFK230N20T,IXFX64N60P3,IXFB132N50P3,DMA50I1200HA,IXBOD2-42RD,IXTT82N25P,IXFR24N90P,IXFH72N30X3,MMIX1H60N150V1,IXFK64N50P,IXTT80N20L,IXTH44P15T,IXTY18P10T,DST20100C,IXYX120N120B3,IXFN140N25T,IXTH12N65X2,DSSK20-0045B,IXFH14N60P3,IXFN52N100X,IXBT32N300HV,IXTH3N150,IXYH55N120C4,IXFH120N25T,IXXK300N60B3,IXFX64N60Q3,IXFK120N30P3,IXFK80N60P3,DSEI20-12A,DSEI30-06A,DCG10P1200HR,IXYF20N400C,IXTH50N25T,DSI30-08A,DSA120X150LB,DSEI19-06AS,IXYL60N450,DPF60C200HJ,DSSK70-003B,MCL10P1200LB,SXX40X,IXGT32N100A3,IXBOD 1-23RD,DSSK28-0045BS,CS30-16IO1,IXBN75N170,MBRF20200CTR,IXFR32N100Q3,IXTH180N10T,MTC120WX55GD,IXXN200N60C3H1,IXGT25N250,IXFH18N65X2,IXGX82N120A3,DSA60C45PB,IXBOD 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选型指南  -  LITTELFUSE  - v0323  - 0323 PDF 英文 下载

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管,有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量,十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用,可以显著提高充电速度,减少能量损耗,提升系统可靠性,并有助于缩小充电设备的体积。

应用方案    发布时间 : 2024-09-27

【产品】用于驱动62mm 1200V/300A SiC MOSFET模块的栅极驱动板,专业恶劣电压环境设计

CISSOID推出的CMT-TIT8243是一款栅极驱动板,针对额定温度为125°C (Ta) 的62毫米碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块进行了优化。该板基于CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度电源转换器设计提供热余量。

产品    发布时间 : 2021-09-14

多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展

多方协同破卷出新 助力国产碳化硅行业高质量发展“半导体产业的迅猛发展,正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮,碳化硅在全球新能源产业发展中扮演着至关重要的角色,是我国在全球半导体产业竞争格局中实现重要突破的关键。

行业资讯    发布时间 : 2024-07-13

瞻芯电子1200V/650V SiC塑封半桥模块获车规认证,SMPD封装更轻薄、更可靠

瞻芯电子基于第二代碳化硅(SiC)MOSFET芯片技术,开发的首批2款SMPD塑封半桥模块产品(IVSM12080HA2Z,IVSM06025HA2Z)通过了车规级可靠性认证(AQG324)。

原厂动态    发布时间 : 2024-01-30

SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K入选everything PE年度MOSFET榜单!

S2M0025120K是SMC研发和制造的碳化硅功率MOSFET器件,漏源击穿电压超过1200V,栅极阈值电压为2.1V,漏源导通电阻为25毫欧,连续漏极电流高达63A,功率耗散小于446W。是新能源汽车快充模块、车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和储能系统(ESS)等应用的理想选择。

原厂动态    发布时间 : 2024-01-29

Silicon Carbide Intelligent Control Module

型号- CXT-PLA3S SERIES,CXT-ICM3SA12340AAS,CXT-ICM3SA12450AAS,CXT-PLA3S,CXT-ICM3SB12340AAS,CXT-ICM3SA12550AAS

数据手册  -  CISSOID  - 2024/1/11 PDF 英文 下载 查看更多版本

The Leader in High Temperature Semiconductor Solutions CHT-EUROPA-A1220 HighTemperature1200V/20ADual SiC Schottky DiodeModule

型号- CHT-EUROPA-A1230,CHT-EUROPA-A1220,CHT-PLA3143A,CHT-PLA1971A-HM8A-T,CHT-PLA3143A-HM8A-T

数据手册  -  CISSOID  - Version: 1.1  - 21-Apr-17 PDF 英文 下载

The Leader in High Temperature Semiconductor Solutions High Temperature1200V/20ADual SiC MOSFET Module

型号- CHT-PLA8294A-HM8A-T,CHT-PLA3777A-HM8A-T,CHT-PLA8294A,CHT-PLAXXXXX,CHT-PLA2316A-HM8A-T,CHT-PLA2228A-HM8A-T,CHT-PLUTO-B1220,CHT-PLUTO-C1230,CHT-PLUTO-B1230,CHT-PLUTO-C1220

数据手册  -  CISSOID  - Version: 1.1  - 7-Jul-17 PDF 英文 下载

数据手册  -  昕感科技  - Rev.0.20  - 01/2024 PDF 英文 下载

CISSOID推出高压SiC栅极驱动板,提供高dI/dt、高dV/dt鲁棒性 ,有效保护电源模块

CISSOID提供额定温度为 125°C (Ta) 的高压 SiC 栅极驱动板,针对 62mm 和 XM3 SiC MOSFET 功率模块进行了优化,CMT-TIT8243 用于62mm/1200V 碳化硅功率模块;CMT-TIT8244 用于62mm/1700V 碳化硅功率模块,CMT-TIT0697 用于XM3/1200V 碳化硅功率模块。

原厂动态    发布时间 : 2021-08-12

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