【产品】超结功率MOSFET AKS65N3K6FAM，EMI特性更优，漏源电压最大额定值为650V

时间： 2023-02-01 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKS65N3K6FAM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI(电磁干扰)特性。

最大额定参数值方面（T_A=25℃，除非另有说明），器件漏-源电压最大额定值为650V，持续漏极电流最大额定值高达11A（T_C=25℃，最大漏极电流受限于最高结温），栅-源电压最大额定值为±30V，器件耗散功率最大额定值为23W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃；热阻特性方面，稳态热阻（结至外壳）为5.4℃/W，稳态热阻（结至环境）为55℃/W(贴装在最小PCB板上)；电气参数方面（T_J=25℃，除非另有说明），当V_GS=10V，I_D=5.5A时，器件漏源导通电阻典型值低至280mΩ，最大值低至360mΩ；器件主要应用于开关电源（SMPS），不间断电源（UPS），功率因数校正（PFC）等领域。

器件特征

低FOM R_DS(ON)×Q_G
EMI特性更优
100% UIS测试
符合RoHS标准
无卤器件

器件应用领域

开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受限于最高结温；

2.重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温；

3.L=10mH，V_DD=150V，I_AS=4A，R_G=25Ω，T_J=25℃开始

4.贴装在最小PCB板上；

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）

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