针对高压放大器应用设计的硅晶体管CZT5551，可以在160V的电压下正常工作，保证了电路的稳定性和可靠性
在萨科微总经理宋仕强先生的强力带领下，萨科微从一家电子元器件功率器件IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。目前国产功率半导体已在众多领域应用，特别是低端产品，如萨科微的TVS二极管ESD二极管、三极管晶闸管、非车规低压MOSFET、可控硅、桥堆等产品，已初现规模化效应，“国产替代”率相对较高等特点,市场份额还在不断提高。今天介绍的是萨科微SLKOR三极管CZT5551。
图 1 萨科微slkor三极管介绍与应用
三极管的外形特征：一般三极管只有三根引脚，每根引脚之间不能相互代替。这三根引脚可以按等腰三角形分布，也可以一字形排列。各引脚的分布规律在不同封装类型的三极管中不同。三极管的体积有大有小，一般功率放大管的体积较大，且功率愈大其体积愈大，体积大的三极管约有手指般大小，体积小的三极管只有半个黄豆大小。一些金属封装功率放大管只有两根引脚，它的外壳作为第三根引脚集电极。有的金属封装高频放大管是四根引脚，第四根引脚接外壳，这一引脚不参与三极管内部工作。如果是对管，外壳内部有两只独立的三极管，有6根引脚。有些三极管外壳上需要附加装散热片，这主要是功率放大管。
图 2 萨科微slkor三极管CZT5551产品图
CZT5551型是一种NPN硅晶体管，采用外延平面工艺制造，并通过环氧树脂封装在表面安装中。这款晶体管专为高压放大器应用而设计，具备出色的性能和可靠性。它广泛应用于各种需要抗击穿电压的通用应用场景，例如电话等。
CZT5551具有以下参数：
●晶体管类型：NPN
●集射极击穿电压(Vceo)：160V
●集电极电流(Ic)：600mA
●功率(Pd)：1.5W
●集电极截止电流(Icbo)：50nA
●集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic，Ib)：200mV@50mA，5mA
●特征频率(fT)：100MHz
●工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
图 3 萨科微slkor三极管CZT5551参数
CZT5551的高击穿电压使其成为高压放大器应用的理想选择。它可以在160V的电压下正常工作，保证了电路的稳定性和可靠性。同时，它的集电极电流(Ic)高达600mA，功率(Pd)为1.5W，能够满足大部分高压应用的需求。在开关和放大功能方面，CZT5551表现出色。它的集电极截止电流(Icbo)仅为50nA，这意味着即使在关闭状态下也有非常低的漏电流，有助于节省功耗和提高电路效率。此外，它的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic，Ib)为200mV@50mA，5mA，保证了在开启状态下具有较低的电压降，从而减少能量损耗。
特征频率(fT)是衡量晶体管高频性能的重要指标之一。CZT5551的特征频率为100MHz，表明它在高频应用中具备出色的表现，能够满足大部分通信设备和电子产品对高频响应的要求。此外，CZT5551的工作温度范围为-55℃~+150℃@(Tj)，在严格环境下依然能够可靠工作，适应各种应用场景的需求。
综上所述，CZT5551型NPN硅晶体管是一款针对高压放大器应用设计的优秀产品。它具备高击穿电压、高集电极电流和低截止电流等特点，适用于高电压开关和放大功能的应用。无论是在电话通信领域还是其他高电压应用中，它都是一个可靠的选择。随着科技的不断发展，CZT5551有望在更多的领域发挥出其优势，为半导体元器件行业带来更多可能性。
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
SLKOR三极管选型表
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|
产品型号
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品类
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Polarity
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Iᴄ(A)
|
Vᴄʙᴏ(V)
|
Vᴄᴇᴏ(V)
|
Vᴇʙᴏ(V)
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
|
Package
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|
S8050
|
三极管
|
NPN
|
0.5
|
40
|
25
|
5
|
0.6
|
SOT-23/TO-92
|
选型表 - SLKOR 立即选型
【产品】采用SOT-89封装的高电流硅NPN晶体管CXT5551HC，集电极连续电流IC为1.0A
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可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：部件、组件及配件
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