针对高压放大器应用设计的硅晶体管CZT5551，可以在160V的电压下正常工作，保证了电路的稳定性和可靠性

时间： 2023-10-30 来源：SLKOR官网

技术问答

在萨科微总经理宋仕强先生的强力带领下，萨科微从一家电子元器件功率器件IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。目前国产功率半导体已在众多领域应用，特别是低端产品，如萨科微的TVS二极管ESD二极管、三极管晶闸管、非车规低压MOSFET、可控硅、桥堆等产品，已初现规模化效应，“国产替代”率相对较高等特点,市场份额还在不断提高。今天介绍的是萨科微SLKOR三极管CZT5551。

图 1 萨科微slkor三极管介绍与应用

三极管的外形特征：一般三极管只有三根引脚，每根引脚之间不能相互代替。这三根引脚可以按等腰三角形分布，也可以一字形排列。各引脚的分布规律在不同封装类型的三极管中不同。三极管的体积有大有小，一般功率放大管的体积较大，且功率愈大其体积愈大，体积大的三极管约有手指般大小，体积小的三极管只有半个黄豆大小。一些金属封装功率放大管只有两根引脚，它的外壳作为第三根引脚集电极。有的金属封装高频放大管是四根引脚，第四根引脚接外壳，这一引脚不参与三极管内部工作。如果是对管，外壳内部有两只独立的三极管，有6根引脚。有些三极管外壳上需要附加装散热片，这主要是功率放大管。

图 2 萨科微slkor三极管CZT5551产品图

CZT5551型是一种NPN硅晶体管，采用外延平面工艺制造，并通过环氧树脂封装在表面安装中。这款晶体管专为高压放大器应用而设计，具备出色的性能和可靠性。它广泛应用于各种需要抗击穿电压的通用应用场景，例如电话等。

CZT5551具有以下参数：

●晶体管类型：NPN

●集射极击穿电压(V_ceo)：160V

●集电极电流(I_c)：600mA

●功率(P_d)：1.5W

●集电极截止电流(I_cbo)：50nA

●集电极-发射极饱和电压(V_CE(sat)@I_c，I_b)：200mV@50mA，5mA

●特征频率(f_T)：100MHz

●工作温度：-55℃~+150℃@(T_j)

图 3 萨科微slkor三极管CZT5551参数

CZT5551的高击穿电压使其成为高压放大器应用的理想选择。它可以在160V的电压下正常工作，保证了电路的稳定性和可靠性。同时，它的集电极电流(I_c)高达600mA，功率(P_d)为1.5W，能够满足大部分高压应用的需求。在开关和放大功能方面，CZT5551表现出色。它的集电极截止电流(I_cbo)仅为50nA，这意味着即使在关闭状态下也有非常低的漏电流，有助于节省功耗和提高电路效率。此外，它的集电极-发射极饱和电压(V_CE(sat)@I_c，I_b)为200mV@50mA，5mA，保证了在开启状态下具有较低的电压降，从而减少能量损耗。

特征频率(f_T)是衡量晶体管高频性能的重要指标之一。CZT5551的特征频率为100MHz，表明它在高频应用中具备出色的表现，能够满足大部分通信设备和电子产品对高频响应的要求。此外，CZT5551的工作温度范围为-55℃~+150℃@(T_j)，在严格环境下依然能够可靠工作，适应各种应用场景的需求。

综上所述，CZT5551型NPN硅晶体管是一款针对高压放大器应用设计的优秀产品。它具备高击穿电压、高集电极电流和低截止电流等特点，适用于高电压开关和放大功能的应用。无论是在电话通信领域还是其他高电压应用中，它都是一个可靠的选择。随着科技的不断发展，CZT5551有望在更多的领域发挥出其优势，为半导体元器件行业带来更多可能性。

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选型指南 - SLKOR - 2022/10/9 PDF 中文下载

SLKOR三极管选型表

SLKOR提供如下参数的三极管选型,Iᴄ(A):-3~5;Vᴄʙᴏ(V):-500~700,Vᴄᴇᴏ(V):-400~450及多种不同的封装尺寸,如:SOT-23,SOT-363和SOT-89不等

产品型号	品类	Iᴄ(A)	Vᴄʙᴏ(V)	Vᴇʙᴏ(V)	Vᴄᴇᴏ(V)	Polarity	Package	Vᴄᴇ(sat)(V)
S8050	三极管	0.5	40	5	25	NPN	SOT-23/TO-92	0.6

选型表 - SLKOR 立即选型

BCP68 NPN SILICON TRANSISTOR

型号- BCP68

数据手册 - SLKOR - 2019/12/10 PDF 英文下载查看更多版本

2SC2655 NPN SILICON TRANSISTOR

型号- 2SC2655

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【产品】采用SOT-89封装的高电流硅NPN晶体管CXT5551HC，集电极连续电流IC为1.0A

Central公司推出的高电流NPN硅晶体管——CXT5551HC，均采用SOT-89封装，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，表面贴装封装，集电极-基极击穿电压VCBO为180V，低漏电流ICBO的最大值为50nA。主要应用于高压和大电流放大器等领域。

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型号- 2SD1071,2SD1071L-TA3-T,2SD1071G-TA3-T

数据手册 - UTC - 2018/01/15 PDF 英文下载

2N5551 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

型号- 2N5551L-X-T92-K,2N5551G-X-T92-A-K,2N5551L-X-T92-A-K,2N5551L-X-T92-B,2N5551G-X-AB3-R,2N5551G-X-T92-B,2N5551G-X-T92-K,2N5551G-X-T92-A-B,2N5551,2N5551L-X-T92-A-B

数据手册 - UTC - 2018/01/15 PDF 英文下载

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD NPN SILICON TRANSISTOR MJE3055T HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

型号- MJE3055T,MJE3055TG-TN3-R,MJE3055TL-TN3-R,MJE3055TG-TM3-T,MJE3055TL-TA3-T,MJE3055TL-TM3-T,MJE3055TG-TA3-T

数据手册 - UTC - 2018/01/15 PDF 英文下载

CZT5551 PcbLib & SchLib & IntLib

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