【产品】10V栅极驱动的N沟道MOSFET P60B6SN,导通电阻典型值5.3mΩ

2018-05-14 ShinDengen
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P60B6SN是新电元(SHINDENGEN)公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET,相比于P沟道MOS管,拥有更小的导通电阻。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为60.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为60.0A,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。10V栅极驱动,具有低导通电阻、低电容的特点。可应用于电机控制,负载/电源开关,DC-DC转换等应用。


采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FB,是一款具体尺寸为10.0mm(W)X6.6mm(H)X2.3mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。


图1  P60B6SN外部视图


P60B6SN的最大栅极/源极电压VGSS为±20V,最大耗散功率Pd为62.5W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为5.3mΩ,最高沟道温度Tch为150.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为55.0 nC。


图2  P60B6SN典型输出特性及转移特性曲线


P60B6SN的主要特点:

• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为60.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±20V

• 最大漏极持续电流(DC)Id为60.0A,最大耗散功率Pd为62.5W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为5.3mΩ

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为55.0 nC

• 采用FB封装, 尺寸大小为10.0mm(W)X6.6mm(H)X2.3mm(D)


P60B6SN的典型应用:

• 电机控制

• 负载/电源开关

• DC-DC转换



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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品类:三极管

价格:¥44.2694

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品牌:SHINDENGEN

品类:FAST RECOVERY DIODES

价格:¥1.4215

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品牌:SHINDENGEN

品类:TRIACs

价格:¥3.4432

现货: 8,995

品牌:SHINDENGEN

品类:快速恢复二极管(FRD)

价格:¥0.2755

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品牌:SHINDENGEN

品类:晶闸管

价格:¥1.7019

现货: 6,000

品牌:SHINDENGEN

品类:GENERAL RECTIFYING DIODES

价格:¥7.7422

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品牌:SHINDENGEN

品类:MOSFET

价格:¥2.8982

现货: 5,000

品牌:SHINDENGEN

品类:GENERAL RECTIFYING DIODES

价格:¥0.6886

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品类:桥式整流二极管

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品类:Diode

价格:¥3.0600

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车规级变压器定制

可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。

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工控触摸一体机定制

提供7~27寸工控机定制,支持嵌⼊式/ 壁挂式 /桌⾯式/悬挂式等安装方式,采用纯平⾯板IP65防尘防⽔等级,莫⽒7级硬度触摸屏,兼容多种操作系统:组态软件/安卓/XP/win7/8/10/Linux等,支持主板、接⼝、外观、⽀架、刷卡器、⾝份证阅读器、LOGO、⻨克⻛、系统、电池、蓝⽛、4G/5G、摄像头、GPS系统、⼆维码扫描器、指纹等特殊应⽤场景定制

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