Alliance将携最新SRAM、DRAM、闪存和存储器IC亮相Embedded World 2022
ALLIANCE Memory于2022年5月5日宣布,其将在于6月21日至23日德国纽伦堡举办的Embedded World 2022上展示该公司的技术产品阵容。该公司将在1号展厅639号展台展出其嵌入式平台存储的最新SRAM、DRAM、闪存和存储器IC。
Alliance Memory的总裁兼首席执行官戴维·巴格比(David Bagby)说:“Alliance Memory已经两年多没有在一场面对面贸易展上展出相关产品了。在此期间,我们一直自豪地为欧洲市场提供可靠的传统存储芯片,而这些芯片本来就供不应求,尤其是Micron Technology闪存设备。很高兴将在Embedded World 2022再次与尊贵的经销商和客户见面。”
在Embedded World 2022上,Alliance Memory为嵌入式市场提供的最新产品包括4GB/8GB工业级嵌入式多媒体卡(eMMC)解决方案,用于消费、工业和网络应用中的固态存储。这些器件均将NAND闪存与eMMC和闪存转换层(FTL)管理软件,集成在单个11.5mm *13mm 153-ball FBGA封装中。eMMC符合JEDEC eMMC v5.1行业标准,支持启动操作、内存重放保护区(RPMB)、设备健康报告、现场固件更新、断电通知、可实现更快更可靠操作的增强的选通功能、写均衡、高优先级中断(HPI)、安全裁剪/擦除,以及高速的HS200和HS400模式。
Alliance Memory还将重点介绍具有片上ECC功能的高速CMOS移动低功耗SDRAM。LPDDR4和LPDDR4x设备的低压工作电压分别为1.1V和0.6V,可延长消费、商业和工业市场的便携式电子产品电池寿命,如平板电脑、可穿戴设备、智能手机、智能扬声器和其他物联网设备,还包括信息娱乐系统和ADAS系统在内的汽车应用在内。低功耗SDRAM为嵌入式应用中的高级音频和高分辨率视频提供了更高的效率,为3.2Gbps的极高传输速率提供了1.6GHz的快速时钟速度。低功耗SDRAM通过AEC-Q100认证,能够在-40°C至+105℃的工作温度范围内正常运行。
为满足汽车、工业、通信和消费电子市场对串行外围接口(SPI)NAND闪存产品不断增长的需求,Alliance Memory将展示其1.8V~3V,存储密度从1GB到8GB,高速时钟频率高达120MHz的AS5F系列NAND闪存。NAND闪存产品可提供长期可靠的性能,具有超过60,000次编程/擦除周期,提供10年数据保持力,并支持标准、双和四SPI操作。凭借其优异的性能,这些存储器可以满足多媒体数据存储应用和人工智能实现的要求。
此外,Alliance Memory将展示其3V多输入/输出的AS25F系列串行NOR闪存产品,这些产品旨在为使用美光科技N25Q系列存储器(已停产)的客户提供存储器产品的供应连续性。AS25F系列具有高达104MHz的快速读取性能,快速编程和擦除时间分别为0.3ms和40ms(典型值)。这些器件采用8引脚SOP宽体(209mils)和8L WSON(6x5mm)封装形式,提供可靠的长期性能,具有100,000次编程/擦除周期和10年数据保持力。
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型号- AS4C8M16SA-7TXN,AS6C2008A,AS6C62256-55SXN,ASFC64G31T5-51BIN,AS4C8M32MD2A-25BPCN,AS4C64M32MD2A-25BIN,AS5F18G04SND-10LIN,AS1C512K16P-70BIN,AS4C8M32MSB-6BIN,AS7C38096B-10BIN,ASFC32G31T3-51BIN,AS29CF160B-55TIN,AS4C16M16SA-6TXN,AS7C31025C-12JIN,AS7C31024B-XXTCN,M29F160FT55N3E2,AS4C64M16MD2A-25BIN,AS4C32M16MSB-6BIN,M29F800FT55N3E2,AS25F1128MQ-70WIN,AS7C1024B-XXJCN,AS5F34G04SNDB-08LIN,AS29CF800T-55TIN,AS4C8M16SA-6BXN,AS4C4M16SA-6TXN,AS9F38G08SA-25BIN,N25Q064A13ESFA0F,AS25F364MQ-10WIN,AS9F31G08SA-25BIN,AS4C32M8D1-5TXN,AS4C64M4SA-6 TXN,AS4C256M16D4-83BXN,AS7C31025B-XXJIN,AS4C8M16SA-6 TXN,AS1C1M16P-70BIN,AS4C8M16SA-7 BXN,AS25F34MD-10S1IN,AS6C6416-55TIN,AS4C128M8D2A-25BXN,AS6C2008A-55TIN,AS4C2M32S-7BXN,AS4C512M16D3LC-12BXN,AS4C2M32SA-7 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AS4C256M16D3C 256M x 16位DDR3同步DRAM(SDRAM)
描述- 本资料介绍了AS4C256M16D3C 4Gb DDR3 SDRAM的特性、应用和操作模式。该产品支持JEDEC标准,具有1.5V供电、96球FBGA封装,适用于商业和工业温度范围。产品特性包括高速时钟率、双向差分数据、动态ODT、自动刷新和自我刷新等功能。
型号- AS4C256M16D3C-10BCN,AS4C256M16D3C,AS4C256M16D3C-93BCN,AS4C256M16D3C-12BIN,AS4C256M16D3C-10BIN,AS4C256M16D3C-12BCN,AS4C256M16D3C-93BIN
【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款
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【产品】Alliance推出新的1.8V和3V SPI NAND闪存AS5F系列,高速时钟频率高达120MHz
2020年9月21日—为满足汽车,工业,通信和消费电子市场中对串行外围接口(SPI)NAND闪存产品不断增长的需求,Alliance Memory今天宣布推出新的AS5F系列1.8 V至3V器件,容量从1Gb到8Gb,高速时钟频率高达120MHz。
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型号- AS4C256M16D3C-12BIN,AS4C256M16D3C-10BIN,AS4C256M16D3C-93BIN,AS4C256M16D3C-XXBIN
AS4C256M8D3LC 256M x 8位DDR3L同步DRAM(SDRAM)
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型号- AS4C256M8D3LC,AS4C256M8D3LC-12BIN,AS4C256M8D3LC-12BC/INXX,AS4C256M8D3LC-12BCN
AS4C256M8D3LB-12BIN、AS4C256M8D3LB-12BCN 256M x 8位DDR3L同步DRAM(SDRAM)
描述- 本资料为AS4C256M8D3LB-12BIN/12BCN型号的2G DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。该产品符合JEDEC标准,具有低电压供电、高速度操作等特点,适用于商业和工业温度范围。它支持高速双数据率传输速率高达1600 Mb/sec/pin,并具备多种功能特性,如预充电、自刷新、功率下降模式等。
型号- AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB,AS4C256M8D3LB-12BCN
AS4C128M8D3LC-12BAN 128M X 8位DDR3L同步DRAM(SDRAM)
描述- 本资料介绍了AS4C128M8D3LC-12BAN 1Gb DDR3L汽车级同步DRAM的特性、功能和应用。该产品符合JEDEC标准和AEC-Q100标准,支持1.35V至1.45V的电源电压,工作温度范围为-40°C至105°C。产品具有高速率、低功耗、高可靠性等特点,适用于汽车、工业等领域。
型号- AS4C128M8D3LC,AS4C128M8D3LC-12BAN
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AS6C3216A-55TIN输入和输出均兼容TTL,SL版本的待机电流典型值仅为8μA。
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