【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE,耗散功率为312W

2022-07-01 ROHM
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SCT4013DEROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET,采用TO-247N封装,其漏源电压750V,连续漏极电流105A(TC=25°C ,VGS=VGS_on,静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ(VGS=18V, ID=58A,Tvj=25°C),耗散功率为312W,虚拟结温最大可达175°C,存储温度范围-40°C至175°C。该产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点,非常适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热、电机驱动等应用场合。

 

图1 产品外观图以及内部电路图

产品特点:

●低导通电阻

●快开关速度

●快速反向恢复

●易于并联

●驱动简单

●无铅电镀,符合RoHS标准

 

产品应用场合:

●太阳能逆变器

●DC/DC转换器

●开关电源

●感应加热

●电机驱动

 

绝对最大额定值:(Tc=25℃)

 

包装信息:

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型号- ASZM1R0170P

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2020-06-21 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务
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