【产品】750V/105A N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4013DE，耗散功率为312W
SCT4013DE是ROHM近来新推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压750V，连续漏极电流105A（TC=25°C ，VGS=VGS_on），静态漏源导通电阻典型值低至13mΩ(VGS=18V, ID=58A，Tvj=25°C)，耗散功率为312W，虚拟结温最大可达175°C，存储温度范围-40°C至175°C。该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻、快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点，非常适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源、感应加热、电机驱动等应用场合。
图1 产品外观图以及内部电路图
产品特点：
●低导通电阻
●快开关速度
●快速反向恢复
●易于并联
●驱动简单
●无铅电镀，符合RoHS标准
产品应用场合：
●太阳能逆变器
●DC/DC转换器
●开关电源
●感应加热
●电机驱动
绝对最大额定值：（Tc=25℃）
包装信息：
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