【应用】SiC MOSFET可为光伏逆变器进一步实现节能、小型、轻量化做出贡献
光伏逆变器作为光伏电站的核心设备,其可靠性与安全性非常重要,正朝着更紧凑、更清洁、更可靠、更低价、更高效的方向发展。要达到这些目标,就须改进电子元器件器件的材料、工艺和优化拓扑结构、控制方法。在越来越多的电子应用中,SiC 器件正日益变得普遍,尤其适用于在太阳能逆变器的设计中,设计师越来越青睐于采用SiC器件研究新的逆变器设计。SiC MOSFET是兼具低损耗特性与高开关频率的功率晶体管,其功率转换效率较Si更高,可为光伏逆变器进一步实现节能、小型、轻量化做出贡献。
与Si材料相比,SiC的优势在于:耐压能力是Si的10倍;高导热系数,功率密度至少提高3倍;高可靠性,SiC硬度是Si的10倍;600V以上的应用,SiC可提供更低的开关损耗和更高的效率。借助上述主要优势,SiC常被用来制造耐高温的高频大功率器件。由世强代理的CREE SiC MOSFET可提供60kHZ以上的高开关频率,支持实现低损耗、高效率的设备要求,极大降低系统体积和重量,以及因其他元器件减少而带来的系统低成本。此外,在不受设备温度的控制下,CREE SiC MOSFET反向恢复时间几乎为零。凭借以上优势,采用CREE SiC功率器件可使逆变器设计更紧凑、更高效、更可靠。
具体到参数,CREE 基于SiC MOSFET的50kW DC/DC升压转换器输出直流电压为800V,输入直流电压范围为400V-600V,开关频率可达75kHz,其效率在97.8%~99.14%之间,操作温度从-25ºC~35ºC,存储温度从-35ºC~85ºC。
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科研狂魔 Lv7. 资深专家 2019-06-13学习下
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zhouyd Lv7. 资深专家 2019-05-09厉害
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