【应用】SiC MOSFET可为光伏逆变器进一步实现节能、小型、轻量化做出贡献

2016-03-18 世强
SiC MOSFET,CREE,WOLFSPEED SiC MOSFET,CREE,WOLFSPEED SiC MOSFET,CREE,WOLFSPEED SiC MOSFET,CREE,WOLFSPEED

光伏逆变器作为光伏电站的核心设备,其可靠性与安全性非常重要,正朝着更紧凑、更清洁、更可靠、更低价、更高效的方向发展。要达到这些目标,就须改进电子元器件器件的材料、工艺和优化拓扑结构、控制方法。在越来越多的电子应用中,SiC 器件正日益变得普遍,尤其适用于在太阳能逆变器的设计中,设计师越来越青睐于采用SiC器件研究新的逆变器设计。SiC MOSFET是兼具低损耗特性与高开关频率的功率晶体管,其功率转换效率较Si更高,可为光伏逆变器进一步实现节能、小型、轻量化做出贡献。


SiC运用


与Si材料相比,SiC的优势在于:耐压能力是Si的10倍;高导热系数,功率密度至少提高3倍;高可靠性,SiC硬度是Si的10倍;600V以上的应用,SiC可提供更低的开关损耗和更高的效率。借助上述主要优势,SiC常被用来制造耐高温的高频大功率器件。由世强代理的CREE SiC MOSFET可提供60kHZ以上的高开关频率,支持实现低损耗、高效率的设备要求,极大降低系统体积和重量,以及因其他元器件减少而带来的系统低成本。此外,在不受设备温度的控制下,CREE SiC MOSFET反向恢复时间几乎为零。凭借以上优势,采用CREE SiC功率器件可使逆变器设计更紧凑、更高效、更可靠。



具体到参数,CREE 基于SiC MOSFET的50kW DC/DC升压转换器输出直流电压为800V,输入直流电压范围为400V-600V,开关频率可达75kHz,其效率在97.8%~99.14%之间,操作温度从-25ºC~35ºC,存储温度从-35ºC~85ºC。


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  • 科研狂魔 Lv7. 资深专家 2019-06-13
    学习下
  • zhouyd Lv7. 资深专家 2019-05-09
    厉害
  • JasonYe Lv7. 资深专家 2019-04-29
    值得学习。
  • 火锅工程师 Lv7. 资深专家 2019-04-12
    不错
  • 用户33601407 Lv7. 资深专家 2019-04-04
    收藏学习了
  • 崽崽 Lv6. 高级专家 2019-03-31
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  • Jin Lv8. 研究员 2019-03-25
    好东西!
  • 用户29762020 Lv4. 资深工程师 2019-03-09
  • jishizhong Lv9 2019-03-06
    学习了
  • 用户45329712 Lv7. 资深专家 2019-03-05
    学习了
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

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型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

优选器件方案  -  WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS  - V1.1 PDF 中文 下载

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