本文由小背篓翻译自辰达行，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
200V/18A的N沟道MOSFET IRF640，适用于新能源车电机驱动系统
IRF640是一款具有200V漏源电压和18A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（150mΩ@10V,11A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得IRF640成为新能源车电机驱动系统中理想的开关元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
【产品】长晶科技推出采用SOT-23塑料封装的N沟道MOSFET CJ3402，栅极电压±12V
长晶科技推出一款采用SOT-23塑料封装的N沟道MOSFET——CJ3402，该器件采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，可在低至2.5V的栅极电压下工作，适用于负载开关、PWM应用。
100V/15A的N沟道MOSFET SL9968，开关损耗低、开关速度快，适用于工业自动化开关
SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（80mΩ@10V,4A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
60V/47A的N沟道MOSFET SL75N06Q可用于包装设备的高频开关，阈值电压2.4V@250μA
SL75N06Q是一款具有60V漏源电压和47A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（8.5mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250μA）而著称。这些特性使其成为包装设备系统中高频开关的理想选择，而在高频开关技术的不断发展的条件下，SL75N06Q的潜力将进一步得到挖掘和应用。
【产品】1.0A限流单通道紧凑型高侧开关IC，内置低导通电阻N沟道MOSFET
ROHM推出的BD2240G和BD2241G是两款内置低导通电阻N沟道MOSFET的高侧功率开关，适用于通用串行总线（USB）应用。 这些IC具有内置过流保护、热关断、欠压锁定保护和软启动功能。
【产品】可驱动无寄生二极管的N沟道MOSFET电源开关IC SGM2554系列，关断模式供电电流小于1μA
圣邦微电子（SGMICRO）推出了一系列电源开关IC——SGM2554，包含SGM2554A和SGM2554B两种型号，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。它们具有用于驱动无寄生二极管的N沟道MOSFET的内置电荷泵，可消除断电时流过开关的任何反向电流。这两款芯片的高侧N沟道MOSFET导通电阻的典型值为95mΩ。
辰达行MOS管选型表
提供辰达行MOS管选型，产品为SOT-23封装形式，覆盖VBR(DSS)(V)范围：-50~+100；ID(A)范围：-4.8~+6；PD(W)：+0.225~+1.56，适用于网络通讯设备， 消费类电子产品， 安防设备， 汽车电子， 工业电源， 充电柱， 表计， LED照明， 物联网等领域。
|
产品型号
|
品类
|
PD(W)
|
ID(A)
|
VBR(DSS)(V)
|
RDS (ON)(MAX)(Ω)
|
RDS (ON)(MAX)ID(A)
|
RDS (ON)(MAX)VGS(V)
|
VGS (th)(V)
|
VGS (th)(V)ID(uA)
|
GFS(S)
|
GFS VDS(V)
|
Package
|
|
BSS138
|
MOS管
|
0.3
|
0.5
|
50
|
2
|
0.5
|
10
|
1.5
|
0.25
|
100
|
10
|
SOT-23
|
选型表 - 辰达行 立即选型
【应用】可编程限流开关LPW5209AB5F用于电表采集模块，内置电荷泵，避免反向电流脉冲造成电路损坏
客户的电表采集模块需要选用一款高集成度的电源开关，我们推荐了微源半导体的这款可编程限流开关LPW5209AB5F，符合客户要求。LPW5209AB5F是一款内置电荷泵的N沟道MOSFET，可用于驱动无寄生体二极管，可以避免反向电流脉冲对电路造成损坏。
100V/20A的N沟道MOSFET SL20N10，可应用于纯电动大巴上的电池管理系统
SL20N10是一款具有100V漏源电压和20A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其较低的导通电阻（70Ω@10V）和较低的阈值电压（1.5V@250μA）而著称。这些特性使得SL20N10成为纯电动大巴上的电池管理系统中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】采用先进沟槽技术的N沟道＆P沟道MOSFET AP3003，适用于电池保护或其他开关应用
AP3003是铨力半导体推出的N沟道＆P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具有导通电阻低、输入电容低、开关速度快及输入/输出泄漏低等特点，适用于电池保护或其他开关应用。它的存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
60V/340mA的N沟道MOSFET 2N7002KDW，具有低导通电阻和较低的阈值电压
2N7002KDW是一款具有60V漏源电压和340mA连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（5Ω@10V）和较低的阈值电压（2.5V@1mA）而著称。这些特性使得2N7002KDW成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R010S，采用PDFN5*6封装，导通内阻小于1mΩ
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET MSN04R010S，是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管，采用PDFN5*6封装，具有导通电阻低、快速开关等特点。漏-源极工作电压最大额定值为40V，连续漏极电流的最大额定值为100A，上升时间的典型值是18.8ns，下降时间的典型值是44.1ns，总栅极电荷典型值是103.5nC。适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流器电路。
【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装
无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
60V/1.8A的N沟道MOSFET SL2308，具有开关速度快、功耗低、可靠性高等优点
SL2308是一款具有60V漏源电压和1.8A连续漏极电流的N沟道MOSFET，其具有低导通电阻（135mΩ@10V,1.8A）的特性，它作为电力电子元件，具有开关速度快、功耗低、可靠性高等优点。这些特性使得其电动平衡车系统应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和控制的场合。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论