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MDD MOS管选型表
提供MDD MOS管选型,产品为SOT-23封装形式,覆盖VBR(DSS)(V)范围:-50~+100;ID(A)范围:-4.8~+6;PD(W):+0.225~+1.56,适用于网络通讯设备, 消费类电子产品, 安防设备, 汽车电子, 工业电源, 充电柱, 表计, LED照明, 物联网等领域。
产品型号
|
品类
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PD(W)
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ID(A)
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VBR(DSS)(V)
|
RDS (ON)(MAX)(Ω)
|
RDS (ON)(MAX)ID(A)
|
RDS (ON)(MAX)VGS(V)
|
VGS (th)(V)
|
VGS (th)(V)ID(uA)
|
GFS(S)
|
GFS VDS(V)
|
Package
|
BSS138
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MOS管
|
0.3
|
0.5
|
50
|
2
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0.5
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10
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1.5
|
0.25
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100
|
10
|
SOT-23
|
选型表 - MDD 立即选型
WSR130N06 N沟道MOSFET
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WINSOK - N-CH MOSFET,N沟道MOSFET,高性能沟槽式N沟道MOSFET,THE HIGHEST PERFORMANCE TRENCH N-CH MOSFET,WST3034,BATTERY POWERED SYSTEMS,POWER MANAGEMENT,SMALL POWER SWITCHING,LOAD SWITCH,便携式设备,电源管理,电池供电系统,NOTEBOOK COMPUTER,笔记型计算机,小功率开关,PORTABLE EQUIPMENT,负载开关
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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