可pin to pin替代随机存储器MT46V8M16P,时钟频率最大200MHz,不缺货、不涨价
随机存取存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器,它可以随时读写且速度快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。在CPU的控制系统中,一般模拟量采样和数字量采样经过ADC和光耦送入CPU,CPU进行数据的存储和运算,为了扩展存储容量,通常会采用随机存储器DRAM进行数据的存储。在CPU的控制系统中,一款合适的随机存储器必不可少。
图1 CPU存储控制系统图
本文将介绍ALLIANCE Memory公司新推出的128Mb同步动态随机存取存储器(DDR)AS4C8M16D1A,型号包括
AS4C8M16D1-5BCN、AS4C8M16D1A、AS4C8M16D1A-5TCN、AS4C8M16D1A-5TIN,具有高速CMOS双数据速率,可完美与Z公司的MT46V8M16P做替代,其性能参数对照表如下表所示。
图2 芯片AS4C8M16D1A-5TxN和MT46V8M16P参数对比图
通过ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C8M16D1A与MT46V8M16P的参数比较可以得出:
1、ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C8M16D1A的供电电压、内存大小、温度范围与MT46V8M16P参数完全一致,说明在同样的供电条件和环境使用温度下,两者功率等级相同,内存大小相同,可以完全互换使用。
2、ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C8M16D1A相对于MT46V8M16P的时钟频率和数据速率更快,说明使用存储器AS4C8M16D1A-5TxN运行速度和存储数据更快,能够更好的满足CPU运行的速率要求,性能更加具有优势。
通过参数对比分析可见ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C8M16D1A和MT46V8M16P相比,使用参数和环境条件性能更好,能够在CPU控制系统中更加可靠有效的使用。
其次介绍下AS4C8M16D1A和MT46V8M16P的引脚定义,两者都是66引脚芯片,而且电源引脚与功能引脚完全一致,引脚定义完全兼容。
图3 芯片AS4C8M16D1A和MT46V8M16P引脚定义对比图
然后介绍下AS4C8M16D1A的封装尺寸,都包含标准66 Pin TSOP封装,和MT46V8M16P封装对比如下图所示。图中的管脚间距和定义一致,封装尺寸完全兼容。
图4芯片AS4C8M16D1A和MT46V8M16P封装对比图
通过见ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器 AS4C8M16D1A和MT46V8M16P封装尺寸和性能参数对比,可以看出两者尺寸完全兼容可以互换,而且 AS4C8M16D1A的时钟频率和数据速率运行更快,在CPU控制系统中能够更好可发挥功率器件的优势。
而且市面上存储器严重缺货和涨价,alliance的存储器不缺货、不涨价,且世强备货充足,支持小量快购,提供专业技术支持。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由简单提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
可pin to pin替代随机存储器MT48LC4M16A1,内存大小64Mb,不缺货、不涨价
ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6TxN、AS4C4M16SA-7TxN和S公司的MT48LC4M16A1封装尺寸和性能参数对比,可以看出两者尺寸完全兼容可以互换,而且两者供电和性能完全一致,在CPU控制系统中都可发挥功率器件的优势。
可pin to pin替代随机存储器MT48LC4M16A2P,时钟频率最大166MHz,不缺货、不涨价
ALLIANCE Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6TxN,AS4C4M16SA-7TxN和S公司的MT48LC4M16A2P封装尺寸和性能参数对比,可以看出两者尺寸完全兼容可以互换,而且两者供电和性能完全一致,在CPU控制系统中都可发挥功率器件的优势。
可pin to pin替代随机存储器MT48LC4M16A2B4,内存大小64Mbit
Alliance Memory公司的随机存取存储器AS4C4M16SA-6/7BxN和S公司的MT48LC4M16A2B4封装尺寸和性能参数对比,可以看出两者尺寸完全兼容可以互换,而且两者供电和性能完全一致,在CPU控制系统中都可发挥功率器件的优势。
ALLIANCE 存储器选型表
提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型,VCC(V):0.6-5,MSL LEVEL:0-5,CLOCK(MHz):133-1866,可支持商业级/工业级/汽车级。
产品型号
|
品类
|
Product Family
|
DENSITY
|
ORGANISATION
|
VCC(V)
|
TEMPERATURE RANGE(°C)
|
PACKAGE
|
MSL LEVEL
|
AS7C164A-15JCN
|
存储器
|
FAST-Asynch
|
64K Fast
|
8K x 8
|
5V
|
Commercial (0 ~ 70°C)
|
28pin SOJ(300mil)
|
3
|
选型表 - ALLIANCE 立即选型
【产品】AT32L021系列低功耗ARM® Cortex®-M0+微控制器,具有高达72MHz的CPU运算速度
雅特力科技AT32L021系列低功耗ARM® Cortex®-M0+微控制器,高达72MHz的CPU运算速度与硬件除法器,最高可支持64KB闪存存储 器(Flash)及8+1KB随机存取存储器(SRAM)(支持奇偶校验),而系统存储器(4KB)除可作启动加载程序(Bootloader)外,也可一次性配置成 一般用户程序和数据区,达到64+4KB的最大空间使用。
Alliance Memory Introduced 1Gb High-Speed CMOS DDR SDRAM AS4C128M8D1-6TIN in 128M x 8 Configuration
Alliance Memory introduced a 1Gb high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM (DDR SDRAM) in the 66-pin TSOP II package. Offered in an industrial temperature range from -40°C to +85°C, the AS4C128M8D1-6TIN features a hard-to-find internal configuration of four banks of 32M word x 8 bits.
【产品】4M(256K×16bit)低功率CMOS静态随机存取存储器,存取速度可达45 ns
Alliance的AS6C4016A是4M(256 K × 16 bit)存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。与CYPRESS赛普拉斯存储器CY62147EV30LL-45ZSXI、CY62146GN30-45ZSXI、CY621472G30-45ZSXI属于pin对pin关系,但是AS6C4016A-45ZIN价格相比它们要便宜10%以上,在工业及汽车领域非常有优势。
【产品】8Gb高速DDR3L同步动态随机存取存储器AS4C512M16D3LB, 96-ball FBGA封装
AS4C512M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司推出的高速DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达8Gb,由8组DRAM内存构成,结构为64Mbit x 16 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
Alliance Memory Introduced High-Speed CMOS DDR SDRAMs With 256Mb, 512Mb, and 1Gb Densities in 60-Ball TFBGA and 66-Pin TSOP II Packages
Alliance Memory today introduced high-speed CMOS double data rate synchronous DRAMs (High-Speed CMOS DDR SDRAMs) with densities of 256Mb (AS4C32M8D1), 512Mb (AS4C64M8D1), and 1Gb (AS4C64M16D1) in the 60-ball 8-mm by 13-mm by 1.2mm TFBGA package and the 66-pin TSOP II package with a 0.65-mm pin pitch.
【产品】64Mbit高速CMOS伪静态随机存储器AS1C4M16PL-70BIN,专为低功耗便携式应用而开发
ALLIANCE推出的AS1C4M16PL-70BIN是为低功耗便携式应用而开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。 64Mb CellularRAM器件的DRAM内核组织为4 Meg x 16位。这些器件是业界标准闪存控制接口的变体,具有多路复用地址/数据总线。
Alliance Memory Developed Low-Power, High-Speed Mobile CMOS DDR SDRAMs With 256-Mb, 512-Mb, 1-Gb, and 2-Gb Densities
Alliance Memory introduced a line of high-speed mobile CMOS double data rate synchronous DRAMs (High-Speed Mobile CMOS DDR SDRAMs) designed to increase efficiency and extend battery life in compact portable devices.
【产品】1Gb高速DDR3同步同步动态随机存取存储器AS4C128M8D3B, 78-ball FBGA封装
AS4C128M8D3B是一款由美国Alliance Memory公司推出的高速DDR3同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达1Gb,由8组DRAM内存构成,结构为16Mbit x 8 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
【产品】64Mb同步动态随机存取存储器AS4C4M16SA,可替代市场上大部分同类产品,实现了Pin to Pin兼容
Alliance推出64位高速同步动态随机存储器AS4C4M16SA,大容量带宽应用的首选,完美地实现了Pin to Pin兼容。其基于CMOS工艺,内部采用配置为1M word×16bit×4 bank的流水线结构,并有54-pin TSOP II和54-ball FBGA两种封装可选。该款产品主要针对汽车、消费、通信等领域中需要高内存带宽的方案,特别是高性能的PC应用。
Alliance Memory Introduced High-Speed CMOS DDR SDRAMs With 64, 128, 256, and 512Mb Densities and Temperature Range From -40℃ to +85℃
Alliance Memory introduced a line of high-speed CMOS double data rate synchronous DRAMs (DDR SDRAM) with densities of 64 Mb (AS4C4M16D1-5TIN), 128 Mb (AS4C8M16D1-5TIN), 256 Mb (AS4C16M16D1-5TIN), and 512 Mb (AS4C32M16D1-5TIN) with an industrial temperature range of -40℃ to +85℃.
电子商城
现货市场
服务
可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm,厚度1mm~10mm,最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K,散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
提交需求>
可定制电机的连续转矩范围1Nm至2000Nm,峰值转矩3Nm至5500Nm,电机延长线长度、变换编码器类型。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论