【产品】512Mbit单数据速率的同步动态随机存储器，存储器配置为4个bank

时间： 2016-07-22 来源：世强

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为通信、计算、工业和消费市场提供RAM相关产品的全球供应商ALLIANCE最近推出了一款新型512Mbit 单数据速率的同步动态随机存储器（SDRAM——AS4C32M16SA。AS4C32M16SA的存储器配置为4个bank，内存组织形式为4banks×8Mbit×16。它采用预取多个位，然后同步到系统时钟的输出数据的芯片架构，这样可以实现高速数据传输，且顺序无缝数据速率最高可达到166MHz，它很大程度上取决于设备的突发长度、CAS延迟和速度等级。

AS4C32M16SA具有完整的同步动态随机存取存储器功能，所有的控制信号、地址信号、数据信号都参考时钟信号的上升沿。以交叉存取方式操作四个存储器组，且允许随机存取操作发生，比标准的DRAMs的速度可能更快。

同步动态随机存储器AS4C32M16SA

图1：同步动态随机存储器AS4C32M16SA

SDRAM之所以称为DRAM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因为刷新是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新，目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms，AS4C32M16SA -7TCN为8192刷新周期 / 64ms。

SDRAM是多存储组结构，例如在一个具有两个存储组的SDRAM中，其中一个存储组在进行预充电期间，另一个存储组马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电的存储组数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。为了实现这个功能，SDRAM需要增加对多个存储组的管理，实现控制其中的存储组进行预充电。在一个具有2个以上Bank的SDRAM中，一般会多一根叫做BAn的引脚，用来实现在多个存储组之间的选择。

AS4C32M16SA -7TCN的关键参数：

AS4C32M16SA -7TCN的产品特性：

• 单脉冲RAS接口；

• 读/写控制的数据掩码；

• 可编程的CAS延迟：2，3；

• 可编程包序列：顺序的或交错的；

• 使用单次写操作的多线突发读操作；

• 自动和控制预充电命令；

• LVTTL接口；

• 单+3.3V ±0.3 V 电源供电；

• 无铅，符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求。

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用户88688974 Lv6. 高级专家 2018-05-01

好
Albert Lv7. 资深专家 2017-10-28

还用sdram？

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产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

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