大幅度降低导通损耗！新能源应用首选IGBT模块
作为一名有着完整供应链同时追求完美特性的功率器件供应商， VINCOTECH的许多模块中都使用了SiC的二极管和MOSFET芯片。而在一部分IGBT模块中， Vincotech使用了最新的H5系列的IGBT芯片。10-F007NIA030SA-P92xF58(以下简称P92xF58 )IGBT模块是其中之一。
采用IGBT H5芯片的P92xF58，耐压值达到650V，电流30A-75A可选。
图：P92xF58示意图
IGBT H5芯片与H3代相比，具备诸多优越特性，包括提高了耐压值达650V；静态饱和压降Vce由1.95V降低到1.75V，大幅度降低导通损耗；门极电荷Qg由223vC降低到90vC，有效提升开关速度；另外开关损耗由0.89mJ降到0.43mJ。总之，采用英飞凌650V TRENCHSTOP™ 5 技术的Vincotech IGBT为硬开关应用提供了无与伦比的效率，结合这些优良特性，该产品尤其适合应用于光伏逆变和UPS等对效率和功耗密度有极高要求的领域。
其他几个优越特性：
• 一流的效率，从而降低结温和外壳温度，提供设备可靠性
• 不影响可靠性情况下增加50V的总线电压
• 更高的功率密度设计
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