芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选

时间： 2023-08-07 来源：芯众享

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光伏与储能是能源电力系统实现能量转换、存储利用的有效途径，在推动碳达峰碳中和方面发挥显著作用。SiC 凭借自身导通电阻低开关损耗小的优势，代替传统 Si 器件为大势所趋，可有效助力光伏与储能系统，节约全球能源。

随着国产碳化硅产品产能上升和价格的不断向下调整。碳化硅产品推进光储应用进展加快。

光伏应用中，在MPPT电路上，1200V SiC二极管（20A、30A）已经得到了广泛应用，随着组件电流的不断提升，40A、50A等更大电流的SiC二极管需求也在不断增加。与此同时，国内外多数厂家也在逐渐将SiC MOSFET导入到光伏系统中。在双向DC/AC和双向DC/DC电路中，1200V和650V的SiC MOSFET可以预计将有较大的市场需求。

储能市场中，当前国内外主流储能企业的产品已经采用了SiC二极管和MOSFET器件，但考虑到成本等因素，目前储能更多的是采用的是650V和1200V SiC二极管。不过，在储能双向逆变器中，650V和1200V的SiC MOSFET逐步得到了大品牌的采用。

储能系统一般分为光储一体系统和单独储能系统。对于单独储能系统，通常包含双向DC/AC以及双向DC/DC电路拓扑，在这种双向拓扑结构中，对器件的开关特性以及体二极管的反向恢复特性均提出了更高的要求，SiC MOSFET凭借其优越的开关性能在该应用中得到了广泛的认可和应用。而对于光储一体系统来说，除了双向DC/AC和双向DC/DC之外，光伏MPPT电路以及辅助电源应用中，也有大量的SiC需求。目前储能产品已经有一些电路在使用SiC，随着功率密度和效率的不断提升，会有很大的渗透空间。未来SiC模块在大功率储能系统也有一定的市场。

据行业人士估算，目前SiC功率器件（主要为二极管）在储能领域的渗透率已经达到20%左右，随着SiC功率器件成本的下降，未来2年渗透率估计会超过50%。

对比硅的快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管在MPPT电路中的应用具有很大的优势（如下图），由于碳化硅肖特基二极管是肖特基结构，且是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗，降低温升，从而减小散热器的体积，可以提高频率，减小磁性元器件的体积，降低成本，且在相同工作频率下具有更高的效率。

芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。以下是芯众享主研发的适用于1000V、1500V光伏逆变器系统的碳化硅肖特基二极管型号：

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