【产品】森国科推出的碳化硅二极管KS06120-B，采用TO-252-2L封装，具有零反向恢复电流、零正向恢复电压等特点

【产品】森国科广泛用于“光、风、储、充、荷“的1200V碳化硅二极管系列产品，导通电阻低，开关损耗小，适用于中高压系统

深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择。

【产品】森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B，VRRM为650V，采用TO-252-2L封装

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B，VRRM为650V，IF（TC=154℃）为6A，QC为13.4nC，具有不受温度影响的开关特性，高效率。产品采用TO-252-2L封装，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等应用。

森国科碳化硅二极管用于轨道交通电源，具有高达97%以上的良率

近期，深圳市森国科科技股份有限公司的1200V 30A碳化硅二极管在轨道交通上得到了验证，碳化硅二极管在高压、大功率的工作场景中，各项数据表现亮眼，未来有助于加快提升国内轨道交通系统的技术水平。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【元件】1200V/10A的国产碳化硅肖特基二极管KS10120-B，采用TO-252-2L封装

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS10120-B，VRRM为1200V，IF为10A，QC为71nC，具有高效率、零开关损耗、易于并联使用，可减小散热器，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压、高工作频率等特点，采用TO-252-2L封装，适用于开关电源、功率因数校正等应用。

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

森国科KS10065-D碳化硅二极管助力330W适配器更高效，专为高功耗设备设计的电源供应设备

随着电子设备尤其是笔记本、游戏本和高性能工作站等的功耗日益增加，传统的低功率适配器已无法满足需求，因此330W适配器应运而生。330W适配器是专为高功耗设备设计的电源供应设备，用于确保足够的电力支持设备的运行。在330W适配器中采用650V SiC二极管不仅提高能效、优化热管理，而且在增加功率密度方面也有着巨大潜力。

時科推出650V、900V、1200V耐压的碳化硅二极管，具有更低的功率损耗，可在高频高温的环境下工作

广东時科微实业有限公司技术工程师何沛雄先生为大家带来了《SiC应用技术分享》的主题演讲，介绍了碳化硅与传统硅器件的优势，碳化硅二极管的优势，碳化硅二极管的应用，以及時科碳化硅二极管的产品介绍。

森国科KS10065-A碳化硅二极管助力1500W充电器实现更高的效率和更小的温升

SiC二极管KS10065-A超低的正向导通电压（VF值），这有助于降低正向导通损耗，提高整体效率。同时，由于其零反向恢复特性，它在反向恢复过程中极大地减少了反向恢复损耗，并减少了EMI干扰，这使得1500W充电器能够实现更高的效率和更小的温升。

250W开关电源对碳化硅功率器件的需求正逐渐加大，碳化硅二极管KS10065-A的应用可提升电源效率

碳化硅二极管以其高效的导电性、耐高温和低能耗特点，在高频开关电源设计中显得尤其重要。相比于传统的硅二极管，森国科KS10065-A二极管能在更高的频率下工作，同时保持较低的热量输出，这直接提高了开关电源的效率和可靠性。

KS50120-C2碳化硅二极管用于三相逆变器，具有更低的正向压降和更高的开关速度

在电力电子领域，随着技术进步和能效要求的提高，新型半导体材料碳化硅（SiC）因其卓越的性能而越来越受到关注。尤其是在高功率应用中，碳化硅二极管被广泛应用于三相逆变器中，表现出其独特的优势。5000W三相逆变器采用碳化硅二极管的优势、应用情况及其对行业的影响。森国科作为领先的国产化半导体供应商目前可以提供80多种型号的二极管产品，其中1200V、60A的二极管可适用于三相逆变器中。

【产品】1200V/29A的碳化硅二极管MS2H20120G1，采用TO-247-3封装

美浦森(Maplesemi)推出的碳化硅二极管MS2H20120G1，反向重复峰值电压为1200V，正向持续电流为29A（@Tc=25℃），采用TO-247-3封装，具有恢复时间短、可以进行高速开关等特点。

【产品】采用TO-252封装碳化硅肖特基功率二极管，最高工作温度为175℃，适用于功率因数校正

泰科天润推出的碳化硅肖特基功率二极管G4S06506RT，采用TO-252封装，TC=142℃时正向平均电流为6A，（TC=25℃,tp=10ms，Half SineWave，D=0.3）正向重复峰值电流20A，工作温度为-55℃ to175℃。

美浦森推出无反向恢复电流的碳化硅二极管适用于高频下整流应用，可提高频率降低损耗，进一步提高充电器功率密度

美浦森推出的碳化硅二极管系列产品MSD04065G1和 MSM06065G1，没有反向恢复电流，非常适合高频下整流应用，与氮化镓开关管强强联合，可以提高频率降低损耗，从而减小磁性元件体积，进一步提高充电器功率密度。

森国科碳化硅二极管用于DCDC系统中，具有低导通损耗和高开关速度等特性

随着碳化硅半导体技术的不断发展，其在DCDC（直流-直流）转换器中的应用越来越广泛。森国科碳化硅二极管1200V（KS40120-C2）、650V（KS20065-A、KS15065-A）的具有低导通损耗和高开关速度，使得DCDC转换器的效率得到显著提高。与传统的硅基二极管相比，碳化硅二极管的导通损耗降低了约80%，开关损耗降低了约90%。