【产品】可驱动600V高速MOSFET和IGBT门极驱动器，具有独立高/低侧参考输出通道
LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款可驱动高达600V的高速MOSFET和IGBT的高侧/低侧门极驱动器芯片——IX2113。该芯片属于高压集成电路，配置有独立的高/低侧参考输出通道，两者都可以提供2A的源电流和灌电流。浮动高侧通道可以从公共基准中驱动600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
IX2113门极驱动器采用IXYS集成电路部门的专有技术，在SOI（绝缘衬体上的硅）上使用高压BCDMOS工艺制造而成，非常坚固可靠，几乎不受负瞬态的影响。门极驱动电压范围为10~20V，且兼容3.3V逻辑电平。其内部的UVLO电路可防止MOSFET或IGBT在获得足够的Vbs或Vcc供电电压前导通。该芯片还具有传播延迟匹配功能，延迟匹配最大值仅为20ns，非常适用于高频应用。
另外，IX2113门极驱动器的存储温度范围为-55~150℃，可耐受的最高结温为150℃，最高焊接温度300℃（有铅焊接，10s）。耐高温性能出色，环境可靠性较高。
IX2113门极驱动器有14引脚DIP封装和16引脚SOIC封装可选，实物如图1所示。该芯片的典型应用电路如图2所示，主要应用于DC-DC转换器、AC-DC逆变器、电机控制以及D类功率放大器等领域。
图1：IX2113门极驱动器实物图
图2：IX2113门极驱动器典型应用电路
IX2113门极驱动器的产品特性：
·浮动通道，用于自举操作至+600V，绝对最大额定值为+700V
·2A源电流和灌电流能力
·栅极驱动电源范围为10V至20V
·SOI工艺增强鲁棒性
·兼容3.3V逻辑电平
·高侧和低侧输出的欠压锁定
·匹配传播延迟
IX2113门极驱动器的应用领域：
·DC-DC 转换器
·AC-DC 逆变器
·电机控制
·D类功率放大器
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