UMS GaN GH15-10 technology has successfully been space evaluated

时间： 2022-01-31 来源：UMS

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UMS is proud to announce that the GH15-10 MMIC GaN HEMT technology has successfully been space evaluated and is now part of the European Preferred Part List (EPPL) established by the European Space Agency (ESA).

This GaN 0.15µm HEMT process is optimized for high power applications up to 40GHz with high PAE and good linearity performance. This technology is dedicated to HPAs, robust LNAs, and switches design for wireless Telecom (PtP, 5G, FWR), Satcom, Radar, and Broadband multipurpose applications.

The MMIC process open in the foundry model includes also precision MIM capacitors, inductors, air-bridges, metallic resistors, TaN resistors, high values TiWSi resistors, via-holes through the substrate, and two metal layers for interconnection.

Table.1

For your foundry projects, GH15 Design Kits are available on ADS from Keysight and MwO from Cadence-NI. They offer models of passive devices, non-linear scalable electro-thermal models, and a 3D stack for EM simulation & DRC capability.

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2020-07-24 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

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United Monolithic Semiconductors (UMS) and Fraunhofer Institute for Integrated Circuits (IIS) have partnered to offer high-performance GaN and GaAs technologies to EUROPRACTICE customers.

2023-08-02 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

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2021-03-17 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

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UMS proposes a new version of its GH15 GaN technology， GH15 is UMS‘s state-of-the-art 0.15µm GaN technology. With this new version, you will be able to realize very compact BCB-protected designs encapsulated in an industrial low-cost plastic package.

2022-09-22 - 新技术代理服务技术支持采购服务

GH15氮化镓技术

描述- GH15 GaN工艺针对高功率、高PAE和高线性度优化，适用于30GHz以上频率。该工艺结合氮化镓功率密度和碳化硅散热基板，在30GHz时功率密度超过3W/mm。工艺包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。适用于设计高功率和高PAE放大器、稳健的LNA和高功率开关。主要应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。工艺设计套件（PDK）包含非线性电热模型、噪声模型、二极管和开关模型、无源模型，以及相关库元素。

型号- GH15

2019/08/14 - UMS - 技术文档代理服务技术支持采购服务查看更多版本

氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案

描述- 该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及晶圆代工解决方案，涵盖中频和毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器和室内设备等领域。产品包括线性高功率放大器、超低噪声放大器、快速高隔离开关等，支持多种频段，如26、28、39、47GHz等。此外，还提供了多种封装选项，包括QFN、DFN等，以满足不同应用需求。资料还展示了不同频段下的产品性能参数，如增益、IP3、OP1dB等。

型号- CHA6682-QCB,CHM1294-99F,CHK9013-99F,CHA1008-99F,CHA6682-QKB,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3688AQDG,CHKA012-99F,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4105-QDG,CHC6094-QKB,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6094-QKB,CHA6682-98F,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,CHA8362-99F,CHC6094,CHA4350-QDG,CHA6652-QXG,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHW4313-QAG,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA6095-QKB,CHA3409-98F,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA7453-99F,CHK8101A99F,CHA6354-QQA,CHT4690-QAG,CHA3024-QGG,CHC6054-QQA,CHA2352-98F,CHK9014,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHA3656-QAG,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA7455-99F,CHA6194-QXG,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHK5010-99F,CHM1298-99F,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHA6357-QKB,CHA4220-QGG

2024/5/15 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案

描述- 该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装（SiP）、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数，如增益、饱和功率、线性度等，并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。

型号- CHM1294-99F,CHA2152-NIA,CHK9013-99F,CHA1008-99F,CHA2180-NBA,CHA3090-98F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,GH50,CHA7062-QCB,CHA4105-QDG,CHC6094-QKB,CHA2069-QDG,CHA6094-QKB,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,PH10,CHC6094,CHA4350-QDG,CHA6652-QXG,PH15,CHW4313-QAG,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA6095-QKB,CHA3409-98F,GH25,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA7453-99F,CHK8101A99F,CHA6354-QQA,CHT4690-QAG,CHA3024-QGG,CHC6054-QQA,CHA2352-98F,CHZ8012-QJA,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,PPH15X,CHA3656-QAG,GH15,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA7455-99F,CHA6194-QXG,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHM1298-99F,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHA6357-QKB,CHA4220-QGG

2023/5/15 - UMS - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案

描述- 本资料介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs元器件产品，涵盖中频、固定无线5G、毫米波射频测量和室内无线回程等领域。产品包括GaN和GaAs集成前端、高功率放大器、低噪声放大器、开关、功率检测器等。产品具有高功率、低噪声、高隔离等特点，适用于多种频段，如26/28GHz、V、E波段等。此外，还提供了SiP封装和QFN封装选项，以满足不同应用需求。

型号- CHC6053-QQA,CHM1294-99F,CHA3409-98F,CHK8013-99F,CHA2362-98F,CHK9013-99F,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA2157-99F,CHA3090-98F,CHK8101A99F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3024-QGG,CHA7060-QWA,CHA3688AQDG,CHZ8012-QJA,CHA3395-QDG,CHA4105-QDG,CHZ9012-QFA,CHE1260-QAG,CHA2159-99F,CHA2069-QDG,CHA3656-QAG,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,CHA6194-QXG,CHA6652-QXG,CHA4350-QDG,CHM1298-99F,CHR1080A98F,CHA3080-98F,CHM1080-98F,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA4220-QGG

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【产品】6-18GHz反射式单刀双掷开关，GaN工艺单片微波IC

UMS推出的反射式单刀双掷开关（SPDT）CHS8618-99F，切换时间典型值为30ns，在导通状态下的插入损耗极小，典型值仅为1.3dB，可应用于大多数军事或商业通信系统中。

2018-02-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

UMS‘s New Powerful GaN X-band HPA Which Exhibits 17W Output Power with A High PAE of 50%

UMS‘s CHA8312-99F is a new powerful GaN X-band HPA which exhibits 17W output power with a high PAE of 50%. It is designed on a 0.15µm GaN HEMT proprietary technology.

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