【选型】国产SIC场效应管ASC100N1200MT4用于UPS不间断电源,漏源电流高达100A
UPS不间断电源的开发过程中在进行PFC处理后母线到电池之间常会进行BUCK-BOOST拓扑设计,从而获得母线到电池的充电DC-DC变换以及电池到母线的DC-DC升压变换。传统UPS设计时基于成本考虑会选用IGBT作为BUCK-BOOST结构中的功率开关管,基于整机高频化的设计会选用SIC场效应管,从而提高系统的效率,本文就爱仕特ASC100N1200MT4从性能参数,封装大小方面进行分析,从而讨论其应用于UPS不间断电源中作为BUCK-BOOST部分功率开关管的优势。
1、ASC100N1200MT4性能参数如下
表1. ASC100N1200MT4的性能参数
由上表可知,ASC100N1200MT4漏源耐压值高达1200V,完全满足UPS系统母线电压的设计要求,漏极连续电流高达100A,极大的减少了器件并联数量,对于整机输出功率性价比有一定的优势;同时导通阻抗低至17mΩ,能有效降低开关损耗。反向恢复时间低至86ns,有利于系统开关速度的高频化设计,工作温度范围为-55℃+150℃,完全满足工业设计要求,TO-247封装,栅源与漏源之间的外部引脚进行分离,有效降低干扰。
2、ASC100N1200MT4封装尺寸如下:
图1. ASC100N1200MT4封装尺寸
综上所述,ASC100N1200MT4用于UPS不间断电源BUCK-BOOST部分,在开关频率的提升方面,系统效率方面,以及功率密度方面优势十分明显。
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提供爱仕特SiC Chips选型,覆盖TO-247-3,TO247-4L,TO-247-4,DFN8*8,DFN 10*12等常规封装,覆盖常规功率段,电压650V-3300V,电流5A-100A
产品型号
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品类
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Package
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Voltage(V)
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
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你好,可以评估一下派恩杰的P3M171K0K3,此方案为SIC 场效应管,漏源耐压值1700V,漏极电流值约6A左右,详细规格书资料如下:https://www.sekorm.com/doc/2619381.html。
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