中科汉韵参与SEMICON China论坛，深入阐述国产SiC MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战

时间： 2022-12-16 来源：中科汉韵半导体

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2022年11月1-2日，SEMICON China 2022 论坛在上海国际会议中心成功举办，江苏中科汉韵半导体有限公司董事长袁述博士参与本次论坛，就“国产碳化硅MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战”做了主题演讲。

SEMICON China 作为中国及全球规模最大、最具影响力的行业交流平台，高峰论坛汇集全球顶级行业领袖，了解全球产业格局、前沿技术与市场走势，分享全球业界领袖智慧和视野，是年度不容错过的盛会。

在电动汽车、光伏、风电、特高压输电等新能源领域，普遍的发展痛点为开关损耗、导通损耗、热管理、充电速度等，而碳化硅功率器件凭借着耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势，直击新能源行业的发展痛点，碳化硅行业迎来下游应用需求推动上游供给的高速发展阶段。

从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。

袁述博士从SiC MOSFET 的优势、应用、国产SiC MOSFET的机遇与挑战等层面做了深入阐述。国内市场缺口较大，功率器件国产化机会与挑战并存，全产业正蓬勃发展。SiC MOSFET 作为功率器件，其可靠性和稳定性特别重要。报告初步介绍了SiC/SiO2 界面设计和工艺对界面态密度和器件性能和可靠性和MOSFET阈值电压稳定性的影响。

江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体 SiC MOSFET 芯片的研发、生产和销售，潜心攻克量产难关。中科汉韵自主研发的 SiC MOSFET 芯片已在验证阶段。致力于碳化硅功率芯片国产化，中科汉韵在前进！

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