中科汉韵参与SEMICON China论坛,深入阐述国产SiC MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战
2022年11月1-2日,SEMICON China 2022 论坛在上海国际会议中心成功举办,江苏中科汉韵半导体有限公司董事长袁述博士参与本次论坛,就“国产碳化硅MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战”做了主题演讲。
SEMICON China 作为中国及全球规模最大、最具影响力的行业交流平台,高峰论坛汇集全球顶级行业领袖,了解全球产业格局、前沿技术与市场走势,分享全球业界领袖智慧和视野,是年度不容错过的盛会。
在电动汽车、光伏、风电、特高压输电等新能源领域,普遍的发展痛点为开关损耗、导通损耗、热管理、充电速度等,而碳化硅功率器件凭借着耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势,直击新能源行业的发展痛点,碳化硅行业迎来下游应用需求推动上游供给的高速发展阶段。
从产业链角度看,碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节,全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。
袁述博士从SiC MOSFET 的优势、应用、国产SiC MOSFET的机遇与挑战等层面做了深入阐述。国内市场缺口较大,功率器件国产化机会与挑战并存,全产业正蓬勃发展。SiC MOSFET 作为功率器件,其可靠性和稳定性特别重要。报告初步介绍了SiC/SiO2 界面设计和工艺对界面态密度和器件性能和可靠性和MOSFET阈值电压稳定性的影响。
江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体 SiC MOSFET 芯片的研发、生产和销售,潜心攻克量产难关。中科汉韵自主研发的 SiC MOSFET 芯片已在验证阶段。致力于碳化硅功率芯片国产化,中科汉韵在前进!
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