中科汉韵参与SEMICON China论坛，深入阐述国产SiC MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战
2022年11月1-2日，SEMICON China 2022 论坛在上海国际会议中心成功举办，江苏中科汉韵半导体有限公司董事长袁述博士参与本次论坛，就“国产碳化硅MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战”做了主题演讲。
SEMICON China 作为中国及全球规模最大、最具影响力的行业交流平台，高峰论坛汇集全球顶级行业领袖，了解全球产业格局、前沿技术与市场走势，分享全球业界领袖智慧和视野，是年度不容错过的盛会。
在电动汽车、光伏、风电、特高压输电等新能源领域，普遍的发展痛点为开关损耗、导通损耗、热管理、充电速度等，而碳化硅功率器件凭借着耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势，直击新能源行业的发展痛点，碳化硅行业迎来下游应用需求推动上游供给的高速发展阶段。
从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。
袁述博士从SiC MOSFET 的优势、应用、国产SiC MOSFET的机遇与挑战等层面做了深入阐述。国内市场缺口较大，功率器件国产化机会与挑战并存，全产业正蓬勃发展。SiC MOSFET 作为功率器件，其可靠性和稳定性特别重要。报告初步介绍了SiC/SiO2 界面设计和工艺对界面态密度和器件性能和可靠性和MOSFET阈值电压稳定性的影响。
江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体 SiC MOSFET 芯片的研发、生产和销售，潜心攻克量产难关。中科汉韵自主研发的 SiC MOSFET 芯片已在验证阶段。致力于碳化硅功率芯片国产化，中科汉韵在前进！
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由扶摇转载自中科汉韵半导体，原文标题为:国产SiC MOSFET设计和技术协同合作的机遇和挑战，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
中科汉韵：车规SiC MOS成功交付，致力成为一流IDM厂商
回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是中科汉韵副总经理陈刚。接下来还将有更多的领军企业参与《行家瞭望》。
中科汉韵致力于高质量碳化硅功率器件国产化，推动新能源汽车、数据中心、机器人、太阳能光伏等新基建领域创新应用
中科汉韵聚焦于第3代半导体SiC MOSFET芯片的研发、生产和销售，专注研究我国下一代战略电子新材料、新器件以及功率集成的关键技术，最终实现在新能源汽车、数据中心、机器人、太阳能光伏等新基建领域创新应用。
中科汉韵成功交付超500片新能源车用主驱SiC MOSFET晶圆，良率达到70%以上，将持续用于车辆测试
2023年9月20日，江苏中科汉韵半导体有限公司已成功交付超500片车规级SiC MOSFET晶圆。该产品包括1200V/17mohm、750V/13mohm两种型号产品，主要应用于电动汽车的主驱系统。
【技术】 浅谈半导体湿法清洗技术
中科汉韵专注于第三代半导体SiC MOSFET芯片研发与制造，在芯片制造过程中采用SEMI高标准等级的化学液进行晶圆清洗。为使化学试剂达到更好的清洁效果，中科汉韵采用一些特殊的技术方法，使晶片的清洁环境更加适宜。
中科汉韵凭借高可靠碳化硅器件制造技术领域的优势荣获“第三代半导体年度新锐企业奖”
2023年12月13日至14日，“2023碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼“在深圳隆重举行，作为行业内极具影响力的活动之一，典礼现场揭晓了2023行家极光奖各大奖项得主，江苏中科汉韵半导体有限公司凭借其在高可靠碳化硅器件制造技术领域的优势荣获“第三代半导体年度新锐企业奖”。
江苏中科汉韵半导体有限公司荣获江苏潜在独角兽企业，碳化硅器件研发设计能力行业领先
2023年11月24日，江苏省生产力促进中心发布了“2023年江苏独角兽企业及潜在独角兽企业”评估结果。2023年共评估入围江苏独角兽企业50家、潜在独角兽企业311家，江苏中科汉韵半导体有限公司荣获江苏潜在独角兽企业。
中科汉韵授权世强硬创平台全线代理，带来高性能的SiC功率器件
2022年9月28日，世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）与一家半导体芯片设计和制造企业——江苏中科汉韵半导体有限公司（下称“中科汉韵”）签署战略合作协议，授权世强先进代理其旗下碳化硅功率器件、碳化硅JBS二极管、碳化硅功率MOSFET晶圆、封装管等全线产品。
解读SiC MOSFET关键参数——Vth
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，我们要聊的是碳化硅MOSFET中另一个关键参数——Vth，这个参数不仅关系到器件的开启与关闭，还直接影响到器件的导通损耗和开关速度，进而影响到整个系统的效率和可靠性。本文解读SiC MOSFET关键参数——Vth ，希望通过本文的介绍，您能对SiC MOSFET的Vth有更深入的了解。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。
芯片研发过程中的可靠性测试——碳化硅功率器件
碳化硅作为第三代半导体经典的应用，具有众多自身优势和技术优势，它所制成的功率器件在生活中运用十分广泛，越来越无法离开，因此使用碳化硅产品的稳定性在一定程度上也决定了生活的质量。作为高尖精的产品，芯片的可靠性测试贯彻始终，从设计到选材再到最后的出产，那研发过程中具体需要做哪些测试呢？金誉半导体带大家了解一下。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。
技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。
昕课堂丨一文了解SiC MOSFET鲁棒性原理
昕感科技基于车规平台推出的1200V SiC MOSFET系列产品拥有优异的鲁棒性。在800V母线电压条件下短路耐受时间达到3us，可以为系统提供充分的反应时间，提升了系统的可靠性。昕感N2M120007PP11同样拥有优秀的最大雪崩击穿耐受能量EAS 。
浅谈SiC MOSFET的串扰Crosstalk
在对SiC MOSFET双脉冲测试过程中，都会面对一个棘手的难题，一旦处理不好就有可能导致桥臂直通发生炸机，它就是Crosstalk（串扰）。何为串扰，本文就将对串扰类型进行简单的原理分析。
电子商城
现货市场
服务
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论