SiC技术让太阳能动力系统效率节节攀升
太阳能发电系统简单，没有机械运动部件，不消耗燃料，是非常理想的绿色能源。但是太阳的能量密度低，如果建立大的能源系统，就需要集中更多的太阳能。目前大多太阳能发电系统采用传统硅工艺的功率器件，这种功率器件的能量转换密度不够高，频率相应有限，制约了太阳能发电系统的发展。本文介绍了碳在太阳能系统中的应用优势及性能。
简化太阳能发电系统设计难度的SIC器件
如图一太阳能逆变系统中，MOSFET和二极管均采用SIC工艺芯片，随着工作频率的提升，SIC低开关损耗的优势就能得到很好的得到体现。在BOOST系统中，提升开关频率达到100KHz以上时，SiC比Si工艺的损耗小很多。随着开关频率的提升，电感的尺寸可以减小，系统发热也会减少，产品的设计难度也会大大降低，整体设计成本也会降低。
图一：太阳能逆变系统
碳化硅功率模块
碳化硅单晶(SIC)是第三代高温宽带隙半导体材料，该材料设计的功率模块具有更高的工作频率(如100K)，可达传统硅工作频率的10倍。导通电阻小，以C2M0025120D为例，其导通电阻为25mΩ，最大电流可达到60A。其次，该材料设计的产品具有更高的耐压特性，比如TO-247封装的MOSFET产品C2M1000170D，其耐压为1700V。相比于传统功率器件，碳化硅二极管的反向恢复电流为零，碳化硅 MOSFET的关断拖尾电流也为零。
现今市面上90%以上的SiC晶片都由CREE制造，获取更多SIC 产品或技术的信息可联系Cree的授权代理商世强。
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