【产品】采用TO-220F封装的N沟道MOSFET TMA110N06H，最大漏源电压60V

时间： 2022-10-29 来源：无锡紫光微

技术问答

无锡紫光微推出采用TO-220F封装的N沟道MOSFET——TMA110N06H，开关速度快，经过100%雪崩测试，具有改进的dv/dt能力，可在栅极和源极之间提供ESD保护。该器件的漏源电压最大额定值为60V，漏极连续电流最大额定值为110A，耗散功率最大150W。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

产品特性

开关速度快
经过100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
可在栅极和源极间提供ESD保护

应用

开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

绝对最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）

热特性

电气参数(T_J=25℃，除非特别说明)

注：

1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2. I_AS=55A，V_DD=50V，R_G=25Ω，起始T_J=25℃

3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%

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