【产品】采用TO-220F封装的N沟道MOSFET TMA110N06H，最大漏源电压60V
无锡紫光微推出采用TO-220F封装的N沟道MOSFET——TMA110N06H，开关速度快，经过100%雪崩测试，具有改进的dv/dt能力，可在栅极和源极之间提供ESD保护。该器件的漏源电压最大额定值为60V，漏极连续电流最大额定值为110A，耗散功率最大150W。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。
产品特性
开关速度快
经过100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
可在栅极和源极间提供ESD保护
应用
开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）
热特性
电气参数(TJ=25℃，除非特别说明)
注：
1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2. IAS=55A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25℃
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%
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