【产品】国产双N沟道功率MOSFET RUH30D18H,适用于电源管理、开关应用和负载开关等

2022-04-03 锐骏半导体
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锐骏半导体RUH30D18H是一款双N沟道功率MOSFET,漏源电压为30V,持续漏极电流为18A(Ta=25℃,VGS=10V)。具有低导通电阻和开关速度快等特性,可应用于电源管理、开关应用和负载开关等。

图1 RUH30D18H的实物图、封装形式和电路结构示意图

RUH30D18H的特性:

◆30V/18A

    RDS(ON)=13mΩ(典型值)@VGS=10V

    RDS(ON)=20mΩ(典型值)@VGS=4.5V

◆超低导通电阻

◆开关速度快

◆提供无铅和绿色环保器件(符合RoHS标准)


RUH30D18H的应用:

◆电源管理

◆开关应用

◆负载开关


RUH30D18H的最大额定值参数(Ta=25℃):

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选型指南  -  锐骏半导体  - 2019/07/10 PDF 英文 下载

JMSL1040AGD 100V 28mΩ Dual N-Ch Power MOSFET

型号- JMSL1040AGD-13,JMSL1040AGD

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JMSH0406AGD 40V 5.2mΩ Dual N-Ch Power MOSFET

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JMSL1040AUD 100V 31mΩDual N-Ch Power MOSFET

型号- JMSL1040AUD,JMSL1040AUD-13

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WNMD2180 Dual N-Channel, 20V, 11A, Power MOSFET

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JMSL1013AGD 100V 10.4mΩDualN-Ch Power MOSFET

型号- JMSL1013AGD,JMSL1013AGD-13

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JMSL0615AGD 60V 10.5mΩ Dual N-Ch Power MOSFET

型号- JMSL0615AGD,JMSL0615AGD-13

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数据手册  -  真茂佳  - Rev. A  - June, 2019 PDF 英文 下载

JMSL0620AGDE 60V 18mΩ Dual N-Ch Power MOSFET

型号- JMSL0620AGDE-13,JMSL0620AGDE

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JMSL0610AGD 60V 8.5mΩ Dual N-Ch Power MOSFET

型号- JMSL0610AGD,JMSL0610AGD-13

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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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