【产品】国产双N沟道功率MOSFET RUH30D18H，适用于电源管理、开关应用和负载开关等
锐骏半导体RUH30D18H是一款双N沟道功率MOSFET，漏源电压为30V，持续漏极电流为18A（Ta=25℃，VGS=10V）。具有低导通电阻和开关速度快等特性，可应用于电源管理、开关应用和负载开关等。
图1 RUH30D18H的实物图、封装形式和电路结构示意图
RUH30D18H的特性：
◆30V/18A
RDS（ON）=13mΩ（典型值）@VGS=10V
RDS（ON）=20mΩ（典型值）@VGS=4.5V
◆超低导通电阻
◆开关速度快
◆提供无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）
RUH30D18H的应用：
◆电源管理
◆开关应用
◆负载开关
RUH30D18H的最大额定值参数（Ta=25℃）：
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