【元件】 EPC最新推出两款抗辐射GaN FET，尺寸最小仅为1.87mm²，可用于卫星等航天领域

时间： 2023-04-14 来源：EPC官网

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Efficient Power Conversion（EPC）公司扩展了其用于功率转换解决方案的抗辐射（rad-hard）氮化镓（GaN）产品系列，推出了两款额定电压分别为 100 V 和 200 V 的新器件，以期能在航天领域的诸多关键应用上，和其他对高可靠性有需求的应用上，满足相应的功率转换需求。

加利福尼亚州埃尔塞贡多，2023年4月——EPC宣布推出两款新型抗辐射GaN FET。其中，EPC7020是一款200V、11mΩ、170A_Pulsed的抗辐射GaN FET，尺寸仅为12mm^²。而EPC7003是一款100V、30mΩ、42A_Pulsed的抗辐射GaN FET，尺寸仅为1.87mm^²。两款器件的总剂量辐射等级均大于1,000KRad（Si），在VDS达到100%的额定击穿电压的情况下，对LET的SEE抗扰度为83.7MeV/mg/cm2。这些新器件以及RadHard系列的其他产品EPC7019、EPC7014、EPC7004、EPC7018和EPC7007均采用芯片级封装，与商用eGaN^®FET和IC系列相同。封装版将从EPCSpace提供。

与高可靠性应用和空间应用通常使用的Rad Hard 硅器件相比，eGaN FET和IC体积更小，电气性能要好 40 倍，成本也更低。与硅解决方案相比，GaN 器件还支持比硅解决方案更高的总辐射等级，对LET 的 SEE抗扰度水平也更高。

这些器件的高性能和快速部署，让以下应用都受益，包括：DC-DC电源转换器、电机驱动器、激光雷达、深空探测器和用于空间应用的离子推进器、卫星（包括用于Leo和GEO轨道的卫星）以及航空电子设备。

EPC的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“Rad Hard产品系列的电压范围从40V到200V，电流范围从4A到530A，涵盖了诸多应用环境恶劣的领域，例如太空领域，包括星际科学任务、高空飞行和其他需要高可靠性的军事应用。”

可用性

EPC7020 及 EPC7003已可提供工程样品

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小云帆 Lv7. 资深专家 2023-05-09

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蒲公英种子 Lv7. 资深专家 2023-04-21

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titan Lv8. 研究员 2023-04-19

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zwjiang Lv9. 科学家 2023-04-16

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