【元件】 EPC最新推出两款抗辐射GaN FET,尺寸最小仅为1.87mm²,可用于卫星等航天领域
Efficient Power Conversion(EPC)公司扩展了其用于功率转换解决方案的抗辐射(rad-hard)氮化镓(GaN)产品系列,推出了两款额定电压分别为 100 V 和 200 V 的新器件,以期能在航天领域的诸多关键应用上,和其他对高可靠性有需求的应用上,满足相应的功率转换需求。
加利福尼亚州埃尔塞贡多,2023年4月——EPC宣布推出两款新型抗辐射GaN FET。其中,EPC7020是一款200V、11mΩ、170APulsed的抗辐射GaN FET,尺寸仅为12mm²。而EPC7003是一款100V、30mΩ、42APulsed的抗辐射GaN FET,尺寸仅为1.87mm²。两款器件的总剂量辐射等级均大于1,000KRad(Si),在VDS达到100%的额定击穿电压的情况下,对LET的SEE抗扰度为83.7MeV/mg/cm2。这些新器件以及RadHard系列的其他产品EPC7019、EPC7014、EPC7004、EPC7018和EPC7007均采用芯片级封装,与商用eGaN®FET和IC系列相同。封装版将从EPCSpace提供。
与高可靠性应用和空间应用通常使用的Rad Hard 硅器件相比,eGaN FET和IC体积更小,电气性能要好 40 倍,成本也更低。与硅解决方案相比,GaN 器件还支持比硅解决方案更高的总辐射等级,对LET 的 SEE抗扰度水平也更高。
这些器件的高性能和快速部署,让以下应用都受益,包括:DC-DC电源转换器、电机驱动器、激光雷达、深空探测器和用于空间应用的离子推进器、卫星(包括用于Leo和GEO轨道的卫星)以及航空电子设备。
EPC的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示:“Rad Hard产品系列的电压范围从40V到200V,电流范围从4A到530A,涵盖了诸多应用环境恶劣的领域,例如太空领域,包括星际科学任务、高空飞行和其他需要高可靠性的军事应用。”
可用性
EPC7020 及 EPC7003已可提供工程样品
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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