【选型】国产N沟道MOS场效应管满足NCE3050K的替代要求，输入电容低至1015pF

时间： 2021-09-25 来源：世强

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扬杰科技的N MOS YJD50N03A可以替换国产新功率NCE3050K，导通阻抗比传统MOS更低。广泛应用在电池管理，PD及无线充电的低电压大电流的应用架构里。

扬杰科技的YJD50N03A是一个30V，50A的N沟道MOS场效应管，基本电性性能和NCE3050K近似；从下面表格的参数对比结果来看，导通阻抗比新功率的NCE3050K的低，可以降低导通损耗，温升结果较好；从EAS参数看，耐冲击能量比较高，且耐冲击电流高，可靠性较好，驱动的输入电容Ciss低至一倍左右，可以减小开关损耗，且封装一致，可以Pin To Pin的替代NCE3050K ;

下面为扬杰科技的YJD50N03A和NCE3050K的主要参数：

从上面参数来看，扬杰科技的YJD50N03A性能更优，驱动反应更快，体内二极管的性能也比较优秀，电流额定能力和顺向能力一致，高达50A，且反向恢复时间短，较小的反向电压，最高1.2V，完全可以满足新功率NCE3050K的替代要求。

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