【产品】采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFETPJQ4407P，符合IEC 61249标准
PANJIT（强茂）推出了PJQ4407P为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-30A。
图1 PJQ4407P P沟道增强型MOSFET封装图
PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的产品特性：
RDS(ON), VGS@-10V, ID@-8A<20mΩ
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-6A<32mΩ
开关速度快
改进的dv/dt能力
低栅极电荷
低反向传输电容
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的最大额定值和热特性：
PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的电气特性：
PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的机械参数：
外壳：DFN3333-8L封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.001盎司，0.03克
PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的订购信息：
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实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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