【产品】采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFETPJQ4407P，符合IEC 61249标准

2019-08-09 PANJIT
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PANJIT（强茂）推出了PJQ4407P为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-30A。

 图1    PJQ4407P P沟道增强型MOSFET封装图


PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的产品特性：

RDS(ON), VGS@-10V, ID@-8A<20mΩ

RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-6A<32mΩ

开关速度快

改进的dv/dt能力

低栅极电荷

低反向传输电容

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的最大额定值和热特性：


PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的电气特性：



PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的机械参数：

外壳：DFN3333-8L封装

端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.001盎司，0.03克


PJQ4407P P沟道增强型MOSFET的订购信息：



技术顾问：叶子
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
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P沟道增强型MOSFET P沟道MOSFET 增强型MOSFET PJQ4407P PANJIT 管状电机

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产品型号
品类
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ESD
Polarity
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VGS(±V)
ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
40
20
136
3
-
-
-
-
-
3050
3.5
43
-

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