【产品】业界首款900V N沟道增强型SiC MOSFET C3M0065090J,助力电源管理解决方案

2016-03-27 世强
SiC MOSFET,N沟道增强型SiC MOSFET,C3M0065090,C3M0065090J SiC MOSFET,N沟道增强型SiC MOSFET,C3M0065090,C3M0065090J SiC MOSFET,N沟道增强型SiC MOSFET,C3M0065090,C3M0065090J SiC MOSFET,N沟道增强型SiC MOSFET,C3M0065090,C3M0065090J

全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET:C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,该N沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案,能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统,并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术,是开关电源(SMPS)、电池充电器、太阳能逆变器,以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。


该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围,能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战,更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下,C3M0065090J拥有目前市面上最低的65mΩ的额定导通电阻;当温度高至150°C时,也可保证导通电阻只有90mΩ,这能有效降低功率损耗,并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的创新限制,有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。

CREE业界首款900V MOSEFET C3M0065090J

图: CREE业界首款900V MOSFET C3M0065090J


由于非常高的开关损耗和较差的内部体二极管,现有900V Si基MOSFET在高频率开关电路中有较多的局限性。Si基MOSFET的另一局限在于导通电阻Rds(on),提高了超过3倍的温度,这将导致散热问题和显著降额。与之不同的是,科锐新型900V MOSFET技术,可以在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),这将显著减小热管理系统的尺寸。


科锐C3M0065090J额定900V/32A,在25°C条件下导通电阻Rds(ON)为65mΩ。在更高温度(Tj=150°C)工作时,导通电阻Rds(ON)也只有90mΩ。


C3M0065090J的特点与优势:

•  采用SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,N沟道增强型

•  高阻断电压,较低的导通电阻65mΩ(25°C),90mΩ(150°C)

•  较低的高速开关功放

•  新的低阻抗包和驱动源

•  具用快速内在二极管,反向恢复电流较低(Qrr)

•  工作温度:-55 °C 至 +150 °C

•  封装:标准TO247-3/TO220-3,及低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装

•  无卤,通过无铅认证


C3M0065090J的应用:

•  可再生能源

•  电动汽车电池充电器

•  高压直流/直流转换器

•  开关模式电源

•    太阳能逆变器

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全部评论(2

  • gaogao Lv7. 资深专家 2017-11-18
    电流还有再大点的吗?
  • NASA911 Lv8. 研究员 2017-11-15
    学习学习
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ROHM(罗姆)电源管理IC选型指南(英文)

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B2M040120Z SiC MOSFET

型号- B2M040120Z

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.1  - 2023-08-10 PDF 英文 下载 查看更多版本

HPAF65C055R 650V SiC MOSFET

型号- HPAF65C055R

数据手册  -  SEMIHOW  - REV.A0  - August 2024 PDF 英文 下载

艾创微提供完备的电源管理、接口及SiC MOSFET等系列产品,助力充电桩产业的蓬勃发展

艾创微紧跟国家战略,积极融入产业配套,和国内多家业内领先的充电桩企业展开合作,经过几年的积累,艾创微在充电桩领域可提供完备的电源管理(模块)、接口以及SiC MOSFET等系列化产品,助力充电桩产业的蓬勃发展,本文艾创微将进行相关产品的详细介绍。

产品    发布时间 : 2024-05-21

罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会,展示面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案

罗姆将聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,在2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会上展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。

原厂动态    发布时间 : 2024-08-05

B2M080120R SiC MOSFET

型号- B2M080120R

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.1  - 2024-07-12 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - ver. 0.5  - June. 2022 PDF 英文 下载

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品牌:LITTELFUSE

品类:SiC MOSFET

价格:¥41.2094

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品牌:森国科

品类:碳化硅功率场效应晶体管

价格:¥48.0000

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品牌:森国科

品类:碳化硅功率场效应晶体管

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品牌:LITTELFUSE

品类:SIC

价格:¥70.3020

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品牌:瑶芯微

品类:SiC MOSFET

价格:¥28.6000

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品牌:瑶芯微

品类:SiC MOSFET

价格:¥28.6000

现货: 120

品牌:瑶芯微

品类:SiC MOSFET

价格:¥20.8000

现货: 120

品牌:瑶芯微

品类:SiC MOSFET

价格:¥20.8000

现货: 120

品牌:NOVUSEM

品类:SiC MOSFET

价格:¥31.2500

现货: 120

品牌:NOVUSEM

品类:SiC MOSFET

价格:¥31.2500

现货: 110

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品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥13.5799

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品类:Six Channel SiC MOSFET Driver

价格:¥2,765.7315

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品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥25.2282

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品牌:CREE

品类:二极管

价格:¥9.4826

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品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥86.0000

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品牌:CREE

品类:二极管

价格:¥4.7413

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品牌:CREE

品类:二极管

价格:¥2.3999

现货:1,525

品牌:CREE

品类:碳化硅二极管

价格:¥3.5706

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品牌:CREE

品类:碳化硅二极管

价格:¥82.9720

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品牌:CREE

品类:碳化硅二极管

价格:¥3.5706

现货:906

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高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

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