【产品】TMA18N20HG~TMP18N20HG系列200V N沟道MOSFET，连续漏极电流可达18A

时间： 2020-10-24 来源：无锡紫光微

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200V N沟道MOSFET,TMA18N20HG,TMD18N20HG,TMP18N20HG

TMA18N20HG,TMD18N20HG和TMP18N20HG是无锡紫光微推出的系列200V N沟道MOSFET。该产品是电压控制器件，与双极型晶体管相比，其开关速度更快和开关损耗更小，输入阻抗高，驱动功率低，具有良好的频率特性，特别的是具有负温度系数。系列MOSFET通过100%雪崩测试，具有快速开关特性和改进的dv/dt特性。系列MOSFET分别采用了TO-220F、TO-252和TO-220封装，符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

图1 器件的的封装和内部电路

器件的工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。系列器件漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。系列器件的脉冲漏极电流最大额定值为72A，连续漏极电流最大额定值为18A。系列器件的单脉冲雪崩能量最大额定值为231.9mJ，雪崩电流最大额定值为6.7A。此外TMA18N20HG型的功耗最大额定值为63.7W，TMP18N20HG的功耗最大额定值均为104W。

产品特点：

快速开关特性；

100%雪崩测试；

改进的dv/dt能力；

产品应用：

开关模式电源(SMPS)

不间断电源(UPS)

功率因数校正(PFC)

器件标记和封装信息：

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