【产品】漏源电压为1200V的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管AKC1K2M030W，专为太阳能逆变器等应用而设计

时间： 2022-11-12 来源：瑶芯微

技术问答

瑶芯微推出的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管 AKC1K2M030W，具有高阻断电压和低导通电阻等特性，专为太阳能逆变器、EV电机驱动等应用而设计。

特性:

■高阻断电压，低导通电阻R_DS(ON)

■高速开关，低电容值

■快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）

■符合RoHS标准

■无卤素

应用:

■太阳能逆变器

■EV电机驱动

■高压DC/DC变换器

■开关模式电源

■蓄电池充电器

■汽车发动机控制

关键性能参数:

订购信息:

最大额定值 (无特殊说明则T_A=25℃)

热特性

电特性 (无特殊说明则T_J=25℃)

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选型指南 - 瑶芯微 - 2022/10/14 PDF 中文下载

瑶芯微（ALKAIDSEMI）致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售，主营产品为功率器件、MEMS传感器以及匹配的信号处理芯片，提供了自有知识产权的高可靠性和高性价比的产品，作为各种交互入口的提供商，最终实现高中低端产品国产化全覆盖。

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【视频】瑶芯微SiC MOSFET让汽车及工业设备更小更高效

型号- AKCK2M040WAM,AK1CK2M040WAM,AKCK2M050WAMH,AKCL0M040YAMH,AK2CK2M040WAMH,AKCL3M040YAMH,AKCK2M1K0DBMH,AKCK2M016WAMH

商品及供应商介绍 - 瑶芯微 PPTX 中文下载

瑶芯微IGBT选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下IGBT产品的技术选型，具有IGBT + FRD两种类型，VCES/VF(V)范围：+650~+1200，ICE/IF(A)范围: +40~+100；VCE sat(V)范围：+1.65~+2；Vth(V)范围：+4~+5.8；VF(V)范围：+1.35~+1.9....瑶芯微的IGBT产品具有TO-247PLUS-3L、TO-247-3L等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号	品类	Package	Type	VCES/VF(V)	ICE/IF(A)	VCE sat(V)	Vth(V)	VF(V)
AKBK2A075WCHM	IGBT	TO-247PLUS-3L	IGBT + FRD	1200	75	2	5.8	1.7

选型表 - 瑶芯微立即选型

瑶芯微40V 1.1mΩ N-channel SGT MOSFET AKG40N011G，无人机高效率运行的保障之一

瑶芯（ALKAIDSEMI）N-channel SGT MOSFET AKG40N011G以其高电流承受能力、低导通电阻和低开关损耗，在无人机项目中具有非常大的应用潜力。这些特性不仅满足了严苛的工业应用标准，也反映了对高性能功率器件的市场需求。无论是在无人机的飞行控制系统、电机驱动器的精确调速，还是DC-DC转换器的高效率电源管理，AKG40N011G MOSFET都能够满足相应的严格要求。

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TÜV莱茵向瑶芯微颁发ISO 26262功能安全管理体系认证证书

近日，独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团“正式向瑶芯微颁发ISO 26262 功能安全管理体系ASIL D认证证书，标志着瑶芯微已成功建立ISO 26262功能安全管理体系，符合功能安全最高等级“ASIL D”的要求。

厂牌及品类发布时间 : 2024-08-08

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选型表 - 瑶芯微立即选型

瑶芯微AKT4P100KL-A MOSFET，符合汽车AEC-Q101要求的小型负载电控模块反接保护解决方案

瑶芯（ALKAIDSEMI）推出的P-channel Trench MOSFET AKT4P100KL-A，不仅符合严苛的AEC-Q101标准，还采用先进的SGT技术，提供了完美的电源反接保护解决方案。该解决方案不仅简化外围电路设计，降低了成本，还能够在电源极性接反的情况下，确保不会损坏控制模块或其它驱动负载。

应用方案发布时间 : 2024-07-31

瑶芯微AK2G4N012TAM-A N-channel SGT MOSFET，满足汽车电子小封装大电流需求

以瑶芯微N-channel SGT MOSFET AK2G4N012TAM-A为例，这款基于SGT技术的MOSFET产品严格按照汽车工业的PPAP（生产部件批准过程）流程开发，极低的导通电阻使其在12V的低电压大功率负载驱动应用中表现卓越。此外，该产品符合RoHS标准，采用无卤环保材料，进一步确保了其在环保和安全性方面的实践和承诺。

应用方案发布时间 : 2024-07-31