【产品】漏源电压为1200V的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管AKC1K2M030W,专为太阳能逆变器等应用而设计

2022-11-12 瑶芯微
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瑶芯微推出的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管AKC1K2M030W,具有高阻断电压和低导通电阻等特性,专为太阳能逆变器、EV电机驱动等应用而设计。

特性:

■高阻断电压,低导通电阻RDS(ON)

■高速开关,低电容值

■快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)

■符合RoHS标准

■无卤素


应用:

■太阳能逆变器

■EV电机驱动

■高压DC/DC变换器

■开关模式电源

■蓄电池充电器

■汽车发动机控制


关键性能参数:

订购信息:


最大额定值 (无特殊说明则TA=25℃)


热特性


电特性 (无特殊说明则TJ=25℃)



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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LITTELFUSE  -  POLARP™ P-CHANNEL POWER MOSFET,LINE RECTIFIER,制动整流器总成,SCR,SINGLE PRE-MOUNTED DIODES,极化率2™ 功率MOSFET,固态开关,HIPERDYN™快恢复二极管,TRENCHT2™ HIPERFET™ 功率MOSFET,N-CHANNEL DEPLETION MODE FET,TRIODE,晶闸管,高温SCR,标准晶闸管,三相整流桥,POLAR3™高压MOSFET,Q3-CLASS HIPERFET™ POWER MOSFET,OPTICALLY ISOLATED PHOTOVOLTAIC GATE DRIVERS,AEC-Q100-QUALIFIED LOW-SIDE GATE DRIVERS,快速恢复外延二极管,快速XPT™IGBT,GEN4™ XPT™ IGBT,快速恢复二极管,OPTICALLY ISOLATED LOAD-BIASED GATE DRIVER,快速关断晶闸管,反向导通IGBT,传统功率MOSFET,雪崩整流二极管,SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES,TRENCH POWER MOSFET,SINGLE PRE-MOUNTED THYRISTORS,SINGLE-PHASE DIODE BRIDGES,GEN4 XPT™ IGBT,FAST PHASE CONTROL THYRISTORS,SOFT RECOVERY DIODES,SURFACE MOUNT DEVICE,快恢复外延二极管,碳化硅肖特基二极管,GTO晶闸管,压力包IGBT,THYRISTOR,快恢复二极管二极管,XPT™ PLANAR IGBTS,BOX CLAMPS,不对称和脉冲晶闸管,IGBT DISCRETE,TRIAC,通过AEC-Q100认证的低端栅极驱动器,OPTICALLY ISOLATED AC POWER SWITCHES,肖特基二极管,整流器,整流桥,超快恢复二极管,半快二极管,散热器,IGBT MODULES,TRIAC,SONIC-FRDTM DIODES,BREAKOVER DIODES,肖特基势垒二极管,低端栅极驱动器,超结功率MOSFET,DUAL ULTRAFAST DIODES,POLARP™P沟道功率MOSFET,门驱动器集成电路,FAST SWITCHING THYRISTORS,线性™功率MOSFET,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODES DISCRETE,HIGH TEMPERATURE SCR,索尼克·弗里德,Q3级HIPERFET™ 功率MOSFET,Q3级HIPERFET™MOSFET,控制IC,FRED,BRAKING RECTIFIER ASSEMBLIES,膜生物反应器,IGBT离散,AC CONTROLLER,表面贴装器件,SIX-PHASE DIODE,通过汽车级AECQ101认证的SCR,标准MOSFET,SINGLE-PHASE FULLY CONTROLLED BRIDGES,BAR CLAMPS,沟道功率MOSFET,HIGH TEMPERATURE TRIACS,STANDARD PHASE CONTROL THYRISTORS,PRESS-PACK IGBTS,快速开关晶闸管,SCHOTTKY GEN DIODES,标准功率MOSFET,XPT™平面IGBT,FAST DIODES,HIGH TEMPERATURE TRIAC,SIDAC晶闸管,固态继电器,DEPLETION MODE POWER MOSFETS,高压XPT™ IGBT,GEN4™XPT™IGBT,SIC MOSFETS,六相可控硅,超快超软恢复二极管,TRENCHT2TM功率MOSFET,三相全控桥,TWISTED PAIR, SILICONE SLEEVE CABLE,MOS栅极晶闸管,制动降压升压斩波器IGBT模块,标准相控晶闸管,双绞线、硅胶套管电缆,六相二极管,不对称晶闸管,PHASE CONTROL THYRISTORS,HIPERFRED 2TM DIODES,高功率器件,单相全控桥,OPTICALLY ISOLATED LOAD-BIASED GATE DRIVERS,快断二极管,THYRISTORS,HIPERFRED™ DIODES,超结功率MOSFET​,N通道耗尽模式场效应晶体管,LOW-POWER CONSUMPTION DRIVER,单根同轴电缆,第四代XPT™IGBT,三相高压整流器模块,VHV MOSFETS,XPT™IGBT,HIPERFRED ™ 二极管,功率半导体模块,线路整流器,BRAKE BUCK BOOST CHOPPER IGBT MODULES,半桥栅极驱动器,PULSE THYRISTORS,CBI IGBT MODULES,VHV MOSFET,OPTICALLY-ISOLATED AC POWER SWITCHES,功率 MOSFET,分布式门极晶闸管,TRADITIONAL SCHOTTKY,单个预装晶闸管,TRENCHT2™ MOSFET,门极可关断晶闸管,COOLERS,DISTRIBUTED GATE THYRISTORS,HIGH VOLTAGE MOSFET,AUTOMOTIVE GRADE AECQ101 QUALIFIED SCRS,棒夹,P-CHANNEL TRENCHP™ POWER MOSFET,OPTICALLY ISOLATED, LOAD-BIASED GATE DRIVER,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODES,HIGH-POWER SONIC FRD,电源IC,半波可控硅整流器,GATE WIRE, SILICONE SLEEVE CABLE,N沟道耗尽型场效应晶体管,DIODE MODULES,MEDIUM VOLTAGE THYRISTORS,限流SSR,POLAR™HIPERFET™MOSFET,POWER MOSFET,IGBT DISCRETES,快恢复二极管,POLAR™ 功率MOSFET,软恢复二极管,HALF-BRIDGE GATE DRIVERS,IGBT门极驱动器,RECTIFIER MODULES,TRENCH IGBT,LEGACY POWER MOSFET,LINEAR OPTOCOUPLERS,XPT™ TRENCH IGBTS,SONIC-FRDTM二极管,SIC DIODES,ULTRA JUNCTION POWER MOSFET,低功耗驱动器,IC分割线性光耦合器,RECTIFIER BRIDGES,XPT™ IGBT,HALF-WAVE, SILICON-CONTROLLED RECTIFIERS,相控晶闸管,晶闸管模块,中压晶闸管,六组IGBT模块,LOW-SIDE GATE DRIVER ICS,IGBT GATE DRIVER,XPT VERY HIGH VOLTAGE 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MODULES,三极管,传统肖特基,P沟道POLARP™功率MOSFET,FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODES,SIC MOSFET,CONTROL IC,DEPLETION MODE MOSFET,箱形夹具,HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC,STANDARD SCRS,RECTIFIER DIODES,ULTRA FAST AND ULTRA SOFT RECOVERY DIODE,TRENCHT2TM POWER MOSFET,耗尽MOSFET,THREE-PHASE FULLY CONTROLLED BRIDGES,极高电压NPT IGBT,HIGH VOLTAGE XPT™ IGBT,EXTRA FAST RECOVERY DIODES,HIGH VOLTAGE IGBT,LOW-SIDE GATE DRIVERS,P-CHANNEL POLARP™ POWER MOSFET,光隔离交流电源开关,扩展FBSOA线性功率MOSFET,单相高压整流器模块,MBR,P沟道P™功率MOSFET,电源开关,IC DIVISION LINEAR OPTOCOUPLERS,3-PHASE HALF-BRIDGE GATE DRIVER ICS,高效可控硅,STANDARD MOSFET,SIC肖特基势垒二极管,HIPERDYN™ FRED,IGBT XPT™模块,绝缘栅双极晶体管,DIODES,DEPLETION-MODE MOSFET,光隔离负载偏置栅极驱动器,闸线、硅胶套电缆,SONIC FRDS,LINEAR™ POWER MOSFET,POLAR3™ HIGH VOLTAGE MOSFET,光隔离光伏栅极驱动器,甚高电压功率MOSFET,3-PHASE HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC,FAST TURN OFF THYRISTORS,声二极管,单相整流桥,导通二极管,HIGH TEMPERATURE SCRS,DIODE,ASYMMETRIC THYRISTORS,TRENCHT2™ HIPERFET™ POWER MOSFET,SWITCHING THYRISTORS,超结技术功率MOSFET,三相二极管桥,HIGH-SIDE GATE DRIVER ICS,栅极驱动器ICS,HIPERFRED 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2X...1-...,IXFH52N30P,IXFN26N120P,DSA15IM45UC,IXTJ6N150,IXYP15N65C3,DSEI12-06AS,MBRF10200CT,IXFK520N075T2,IXTH64N10L2,IXXK300N60C3,IXTT140N10P,IXFH26N60P,DSA30C150HB,DSSK50-01A,IXFK140N20P,IXFK230N20T,IXFX64N60P3,IXFB132N50P3,DMA50I1200HA,IXBOD2-42RD,IXTT82N25P,IXFR24N90P,IXFH72N30X3,MMIX1H60N150V1,IXFK64N50P,IXTT80N20L,IXTH44P15T,IXTY18P10T,DST20100C,IXYX120N120B3,IXFN140N25T,IXTH12N65X2,DSSK20-0045B,IXFH14N60P3,IXFN52N100X,IXBT32N300HV,IXTH3N150,IXYH55N120C4,IXFH120N25T,IXXK300N60B3,IXFX64N60Q3,IXFK120N30P3,IXFK80N60P3,DSEI20-12A,DSEI30-06A,DCG10P1200HR,IXYF20N400C,IXTH50N25T,DSI30-08A,DSA120X150LB,DSEI19-06AS,IXYL60N450,DPF60C200HJ,DSSK70-003B,MCL10P1200LB,SXX40X,IXGT32N100A3,IXBOD 1-23RD,DSSK28-0045BS,CS30-16IO1,IXBN75N170,MBRF20200CTR,IXFR32N100Q3,IXTH180N10T,MTC120WX55GD,IXXN200N60C3H1,IXGT25N250,IXFH18N65X2,IXGX82N120A3,DSA60C45PB,IXBOD 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0323  - 选型指南  - v0323 代理服务 技术支持 采购服务

安邦半道體 COMPANY PROFILE

安邦半导体是一家专注于汽车和工业市场的功率半导体设计商和制造商,提供Si和SiC材料的分立器件产品。公司成立于1996年,总部位于中国深圳,拥有深圳、台湾和硅谷的研发中心,2023年营业额达1.6亿美元。产品包括IGBT、MOSFET、二极管等,应用于电动汽车、光伏、工业电机驱动等领域。公司采用全产业链(IDM)模式,提供从设计、制造到封装的完整解决方案,并拥有严格的车规级产品管控体系。

安邦  -  MOSFET,SCR,ESD DIODE,HIGH V MOS,ESD PROTECTIONS ARRAY,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,SIC DIODES,SIC模块,功率金氧半电晶体,TVS,ZENER DIODE,ZENER DIODES,RECTIFIERS,SCHOTTKY RECTIFIERS,碳化硅二极管,开关晶体管,SEMICONDUCTOR DISCRETE DEVICE,LV MOS,稳压二极管,SIC-MOS,碳化硅高压模块,低VF SBD,ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS,SGT MOS,晶体管,整流器,整流桥,TRENCH MOS,小信号晶体管,三极管,稳压管,低压功率MOSFET,SIC MOSFET器件,ESD保护阵列,SMALL SIGNAL TRANSISTORS,齐纳二极管,LOW VF SBD,半导体分立器件,功率二极体,SIC POWER MOSFET,肖特基整流器,SIC MOS,功率MOS管,SIC SBD,ZENER,功率模块,低压MOS,SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES,SWITCHING DIODES,高压MOS,SBD SWITCH DIODE,小信号齐纳二极管,SIC碳化硅,LV SIGNAL MOSFET,高压开关功率MOS,TRANSISTOR,齐纳,HV SWITCH POWER MOS,POWER MOSFETS,TVS二极管,充/放电高压开关SIC-MOS,碳化硅高压MOSFET,整流管,SMALL SIGNAL ZENER DIODES,一般SBD,DIODE,SR MOS,低压开关功率MOS,开关二极管,阵列,屏蔽栅沟槽MOSFET,瞬态电压抑制器,快速恢复整流器,LV POWER MOSFET,SIC备用电池,POWER DIODES,SBD开关二极管,GPT SWITCH TRANSISTOR,RECTIFIER,SIC二极管,静电放电二极管,接口保护ESD阵列,POWER MODULE,ESD PROTECTION DIODE,小信号开关二极管,超快速恢复整流器,LV SWITCH POWER MOS,SMALL SIGNAL SWITCHING DIODES,HIGH EFFICIENT RECTIFIER,ESD保护二极管,SIC MODULE,沟槽式MOS,BRIDGE,肖特基势垒,AUTOMOTIVE POWER MOS管,一般型整流器,GENERAL SBD,IGBT,高级金属氧化物,TVS DIODE,BRT SWITCH TRANSISTOR,GENERAL PURPOSE RECTIFIERS,高效整流器,电桥,SCHOTTKY BARRIER,小信号肖特基二极管,开关二级管,TRIACS,可控硅,MOS,ARRAY,IC供电TVS,分立器件,MOS管,金属氧化物半导体,三合会,碳化硅-钼,低压信号MOSFET,FAST RECOVERY RECTIFIERS,碳化硅金属氧化物半导体,功能IC过电压保护 TVS,碳化硅高压肖特基二极管,二极管,SIC功率场效应晶体管,ASZM01K170P,AS3100L,ASZM016120S7,ASZM01K170T,ASZM080120P,SMBJ,ASZM100HB13N120E2,ASZM080120T,ASZM040120PA,ASZM600FB2N120HD,ASZM030120P,ASZM040120D88,SM24C,ASZM0S0120N,ASZM030120T,ASZM016120T,ASZM360FB3N120HD,ASZM025065T,ASZM060065T,AS2M480FB2N120HD,2N7002EY,BZT52C SERIES,ASZM040065T,ASZM040120T,AS2324,ASZM028120T,ASZM040120P,ASZM104065P,ASZM028120P,ASZM040065L,S2M016120P,AS2102W,ASZM040120N,BZT52C,SMBJ SERIES,ASZM160120T,ASZM160120P,SM24,ASZM032120T,ASZM032120P,PACK环境控制,电机控制器,汽车,PV,贝弗,PHEV,车载舒适系统,插电式混合动力汽车,电控系统,动力传动装置,电控,电池系统,大灯,商用电动汽车,混合电动汽车,电机,DCDC变换,HVDC,EV,纯电动汽车,CAV,直流/ DC,直流充电桩,全混电动汽车,电池,新能源电压变换系统,航空航天,新能源汽车三电系统,变速器,PHEV公司,OBC,DC/DC,FHEV,车身电子,高压BMS,汽车LED前灯,电动汽车,电动汽车电控,工业,动力电池包,PDU,牵引力,工商储能系统,BMS,骑士,BEV,电机系统,车载充电,汽车系统,HEV,工业电机驱动,汽车电子

2024/8/29  - 商品及供应商介绍  - Ver 6.2 代理服务 技术支持 采购服务

NS120H035A311S10碳化硅电源模块1200V,3.5MΩ,半桥

该资料详细介绍了某款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的电气特性,包括漏源电流、栅源电压、阈值电压、电容、开关能量、开关时间等关键参数,以及在不同温度和电压条件下的性能表现。

昕感科技  -  碳化硅功率模块,SILICON CARBIDE POWER MODULE,NS120H035A311S10,EV FAST CHARGERS,RAILWAY AUXILIARY,电机驱动,并网分布式发电,开关模式电源,INDUCTION HEATING,TRACTION,MOTOR DRIVES,牵引,感应加热,SMART-GRID,可再生能源,GRID-TIED DISTRIBUTED GENERATION,不间断电源,铁路辅助,智能电网,电动汽车快速充电器,UPS,SMPS,RENEWABLE ENERGY

03/2024  - 数据手册  - Rev.0.20 代理服务 技术支持 采购服务

P3M12040K4 SiC MOS N沟道增强模式

该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12040K4 SiC MOS场效应晶体管。这款器件采用增强型模式,具有高阻断电压和低导通电阻的特点,适用于高频操作。它通过了AEC-Q101认证,适用于提高系统效率、增加功率密度、减少散热器和系统成本的多种应用。

派恩杰  -  碳化硅金属氧化物半导体,SIC MOS,P3M12040K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Dec. 2021  - 数据手册  - Ver. 1.3 代理服务 技术支持 采购服务

P3M12025BD碳化硅MOS

该资料介绍了PNJ半导体公司的SiC MOS P3M12025BD功率器件。它是一种碳化硅(SiC)金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),适用于高电压应用,具有低导通电阻和高阻断电压的特点。资料提供了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、典型性能和芯片尺寸等信息。

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Mar. 2021  - 数据手册  - Ver. 2.3 代理服务 技术支持 采购服务

AKC1K2M030W 1200V 30mOhm碳化硅功率MOSFET规格书

本资料为AKC1K2M030W硅碳化物功率MOSFET的数据手册。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和快速体二极管等特点,适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

瑶芯微  -  碳化硅功率场效应晶体管,SILICON CARBIDE POWER MOSFET,AKC1K2M030W,AUTOMOTIVE ENGINE CONTROL,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,EV MOTOR DRIVE,EV电机驱动,汽车发动机控制,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,BATTERY CHARGERS,太阳能逆变器,蓄电池充电器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关

2022-01-26  - 数据手册  - REV.0.2 代理服务 技术支持 采购服务

P3M06040L8 SiC MOS N沟道增强模式

该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M06040L8 SiC MOS N-Channel增强型场效应晶体管。这款器件适用于高电压直流/直流转换器和开关模式电源,具有高达650伏的阻断电压和低导通电阻,适合于提高系统效率、增加功率密度并减少散热器需求。

派恩杰  -  N沟道增强模式SIC MOS,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOS,碳化硅金属氧化物半导体,SIC MOS,P3M06040L8,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Apr. 2022  - 数据手册  - Ver. 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

P3M12025K3 SiC MOS N沟道增强模式

本资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12025K3型号碳化硅(SiC)金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有高阻断电压和低导通电阻,适用于高频操作。它经过100% UIS测试,旨在提高系统效率、增加功率密度并减少散热器需求。

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Apr. 2020  - 数据手册  - Ver. 2.0 代理服务 技术支持 采购服务

ASC30N1200MT7 11200V N沟道MOSFET

本资料介绍了ASC30N1200MT7型1200V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低电容和高阻断电压等特点,适用于电动汽车充电、高压直流/直流转换器、开关模式电源和功率因数校正模块等领域。

爱仕特  -  N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,N-CHANNEL MOSFE,ASC30N1200MT7,EV CHARGING,电动汽车充电,高压DC/DC变换器,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,功率因数校正模块,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

2022/6/30  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

P3M1208K3 SiC MOS N沟道增强模式

本资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12080K3型号碳化硅(SiC)金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有高阻断电压和低导通电阻,适用于高频操作。它经过100% UIS测试,旨在提高系统效率、增加功率密度并减少热沉需求。

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Apr. 2020  - 数据手册  - Ver. 2.0 代理服务 技术支持 采购服务

P3M06040K3 SiC MOS N沟道增强模式

该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M06040K3型号碳化硅(SiC)MOSFET器件。该器件是一款N沟道增强型场效应晶体管,具有高阻断电压、低导通电阻和高频操作能力。它符合AEC-Q101标准,适用于提高系统效率、增加功率密度和降低热沉需求。

派恩杰  -  碳化硅金属氧化物半导体,SIC MOS,P3M06040K3,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Nov. 2020  - 数据手册  - Ver. 1.3 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

P3M12080K4 SiC MOS N沟道增强模式

该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12080K4 SiC MOS场效应晶体管。这款器件采用增强型模式,具有高阻断电压和低导通电阻的特点,适用于高频操作。它通过了AEC-Q101认证,适合于提高系统效率、增加功率密度并减少散热器需求。

派恩杰  -  N沟道增强模式SIC MOS,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOS,碳化硅金属氧化物半导体,SIC MOS,P3M12080K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Dec. 2021  - 数据手册  - Ver. 1B.1 代理服务 技术支持 采购服务
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品类:陶瓷气体放电管

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品类:集成电路

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品类:集成电路

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医疗/工业/消费电子TEC定制

可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。

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