【产品】600V/15A低功耗高效率MOS-IPM，可大幅度降低空调运转时的损耗
罗姆推出的MOS-IPM（Intelligent Power Module ，智能功率模块）产品BM65364S-VA、BM65364S-VC其逆变电路部分采用了罗姆自产的低导通电阻Super Junction MOSFET（PrestoMOS），可大幅降低空调稳定运转时的功耗达到节能目的，并通过IPM模块化方案简化了设计，大大节省了设计时间和成本。
封装上，BM65364S-VA用的是HSDIP25，而BM65364S-VC用的是HSDIP25VC，Dip焊接容易，封装尺寸小，节省PCB空间。
图1 HSDIP封装
BM65364S-VA、BM65364S-VC开关频率最高20KHz、隔离电压达1500V（rms），而且储存温度-40°C~+125°C，另外，其逆变电路部分采用罗姆自产的低导通电阻Super Junction MOSFET（PrestoMOS）后，与采用IGBT相比，功耗大幅度降低了约43%，如图2所示。
图2 采用PrestoMOS和IGBT功耗对比
BM65364S-VA、BM65364S-VC其它特点和优势如下：
1. 采用3相DC / AC逆变器
2. 额定电压电流高达600 V / 15 A，可应对高电压大电流
3. 低端MOSFET开源
4. 内置自举二极管，性能更稳定
5. 高侧MOSFET门驱动器(HVIC)包含: SOI(绝缘体上的硅)工艺、驱动电路、高压电平移位、引导二极管电流限制、控制电源欠压锁定(UVLO)保护
6. 低侧MOSFET门驱动器(LVIC)包含:驱动电路、短路电流保护(SCP)、电压锁定控制电源(UVLO)、热关闭(TSD)
7. 内置与SCP(低侧MOSFET)、TSD、UVLO故障对应的故障信号(LVIC)
8. 输入接口电压为常用的3.3V/5V，可对接广泛电源和电路
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AOTE（奥特半导体）光电耦合器选型指南
目录- 公司简介 Company Profile 封装说明 package description 产品选型表 selection table 晶体管光耦 photo transistor 达林顿光耦 photo darlington 光继电器 photo relay 可控硅光耦 photo triac 高速光耦 high-speed opocouplers 栅极驱动光耦 gate drive optocoupler 智能栅极驱动光耦 smart gate drive 智能功率模块接口光耦 intelligent power modoule and gate drive interface optocoupler 隔离运算放大器 isolation amplifier
型号- ATW601,ATW721,ATW720,AT176,ATW723,ATC7723,AT075L,AT8801,ATC7720,ATC7721,ATN350,AT333J,ATN7720,ATN7721,ATN7723,AT074L,AT0631,AT0630,AT1722,ATN3120,AT0511,ATW501,AT17X,ATM723,ATM721,ATN139,ATM601,ATN261L,ATN137,AT202X,ATN138,ATM720,ATN135,ATN136,AT2601,ATN3150,ATH87BT,ATW611,ATS258,ATS259,AT3120,AT4NXX,AT7723,AT2154,AT8016,AT7840,ATC87AT,AT0530,AT7720,AT7721,AT0531,AT852,AT0534,ATN3140,AT201X,AT851,ATC261L,ATV25X,ATC53X,ATC79A,AT330J,AT2222,ATM343,AT58X,ATM341,AT0721,AT127,AT0720,AT0723,ATC79B,AT0601,AT22X,AT481,ATH11L2,AT480,AT4AXX,ATH11L1,ATH11L3,AT308X,ATC790,ATM456,AT357,AT358,ATH87AT,AT21X,AT6N136,AT6N135,AT6N138,AT6N137,AT155,AT6N139,AT332J,ATX213,ATY258H,AT827,AT2122,AT825,AT826,AT101X,AT0501,ATM480,ATM481,ATX223,AT331J,AT816,AT817,AT25A,AT814,AT815,AT3H7,ATN201,AT3H4,AT818,AT0611,ATN200,ATM301X,AT452,ATV21X,ATV45X,AT451,ATN6N139,ATN6N137,ATC511,ATN6N138,ATN6N135,ATN6N136,AT305X,AT208X,AT54X,AT42X,ATM303X,ATC4504,ATC4506,ATC501,AT41X,ATC74L,AT304X,AT314,AT817X-UNY-W,ATM302X,AT53X,AT350,ATC63X,AT354,ATH790,AT4506,ATM305X,AT4504,AT56X,6N137,6N136,AT343,ATS258H,6N135,AT340,AT341,AT3H74,AT41XS,ATN4506,ATN4504,AT306X,ATM314,ATC64L,AT215,ATM304X,AT55X,AT6N437,ATV41X,ATN827,ATN826,AT3150,ATN825,ATM501,AT301X,ATC87BT,AT204X,ATW511,ATY259,AT337J,ATS25X,AT3140,ATM611,ATC70A,AT203X,ATM306X,AT0314,ATY258,H11L1,AT316J,AT3H44,ATC611,AT206X,AT52X,AT0341,AT0343,AT303X,AT339J,ATC601,AT302X,ATM511,ATM308X,AT205X,AT2514,ATY25X,AT415
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试，以及RFID，SRD，2G，3G，4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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