【应用】派恩杰650V碳化硅场效应管P3M06060G7用于伺服驱动器,导通阻抗60mΩ
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在伺服驱动器产品中,为了获得更为精准的信号控制,往往需要有高开关频率的功率管配合PWM控制器,将电流信号转换为方波来驱动伺服电机转动。
有客户在设计一款总线型的伺服产品,考虑到开关频率和导通阻抗因素,打算采用四颗SIC MOS来做H桥,要求功率管的耐压650/40A,导通阻抗越小越好。本文给客户推荐了一款派恩杰的碳化硅场效应管P3M06060G7,拥有650V的漏源击穿电压和44A输出电流,导通阻抗60mΩ,相较于IGBT提高频率同时减小磁性元件体积从而实现更高功率密度,适合于开关电源以及高压DC变换的应用场合。
图1.派恩杰P3M06060G7在伺服驱动器中的应用
P3M06060G7在伺服驱动器中的优势:
1.采用SIC材质,提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度;
2.60mΩ低导通电阻,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,减少系统的开关损坏;
3.具备良好温度特性,温度范围-55至175℃,可以使得在高温下Rdson偏移小;
综上所述,派恩杰的P3M06060G7适合于伺服驱动器设计。
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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你好,可以评估一下派恩杰的P3M06040K3,此方案漏源耐压值650V,漏极平均电流值高达68A,过AEC-Q101认证要求;详细评估资料如下:https://www.sekorm.com/doc/3175504.html。
在电源模块上原使用英飞凌的IMBG65R022M1H,有没有国产替换方案推荐?
推荐派恩杰的P3M06060G7,是一款高阻断电压,低导通电阻的sic mos,符合AEC-Q101要求,详细参数见:https://www.sekorm.com/doc/2619378.html
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该资料详细介绍了PNJ半导体公司的P3M06060G7 SiC MOS N-Channel增强型功率器件。文档涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性、典型性能、定义和封装轮廓等内容。
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P3M06060G7 SiC MOS N沟道增强模式
该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M06060G7型号碳化硅(SiC)MOSFET的特性。它是一种增强型N通道器件,具有高阻断电压和低导通电阻,适用于高频操作。该产品符合AEC-Q101标准,旨在提高系统效率、增加功率密度并降低散热器需求。
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可以评估下派恩杰这个650V,44A,TO263封装的SIC MOSFET,P3M06060G7,https://www.sekorm.com/Web/Search/channel?tab=4&sct=5&searchWord=P3M06060G7
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您好,可以看看派恩杰的P3M06060G7,https://www.sekorm.com/doc/2749414.html
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