【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K4S,采用4引脚TO-247-4L封装
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UnitedSiC推出的UF3C120080K4S是一款共源共栅的SiC FET器件,是将其高性能 F3 SiC 快速JFET与经过共源共栅优化的 MOSFET共同封装在一起,从而生产出目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该产品采用4引脚TO-247-4L 封装,开关速度非常快,而且在任何具有类似额定值的器件中具有最佳的反向恢复特性,非常适合开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
产品特征:
●典型导通电阻 RDS(on),typ为 80mΩ
●最高工作温度 175°C
●出色的反向恢复特性
●低栅极电荷
●低固有电容
●ESD 保护,HBM 2 级
●TO-247-4L 封装可实现更快的开关,干净的栅极波形
订购信息:
典型应用:
● 电动汽车充电
● 光伏逆变器
● 开关电源
● 功率因数校正模块
● 电机驱动
● 感应加热
最大额定值:
注:
连续漏极电流:受TJ,max限制;
脉冲漏极电流:脉冲宽度tp受TJ,max限制;
单脉冲雪崩能量:起始TJ = 25°C
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型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
UnitedSiC SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E
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