【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K4S,采用4引脚TO-247-4L封装
UnitedSiC推出的UF3C120080K4S是一款共源共栅的SiC FET器件,是将其高性能 F3 SiC 快速JFET与经过共源共栅优化的 MOSFET共同封装在一起,从而生产出目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该产品采用4引脚TO-247-4L 封装,开关速度非常快,而且在任何具有类似额定值的器件中具有最佳的反向恢复特性,非常适合开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
产品特征:
●典型导通电阻 RDS(on),typ为 80mΩ
●最高工作温度 175°C
●出色的反向恢复特性
●低栅极电荷
●低固有电容
●ESD 保护,HBM 2 级
●TO-247-4L 封装可实现更快的开关,干净的栅极波形
订购信息:
典型应用:
● 电动汽车充电
● 光伏逆变器
● 开关电源
● 功率因数校正模块
● 电机驱动
● 感应加热
最大额定值:
注:
连续漏极电流:受TJ,max限制;
脉冲漏极电流:脉冲宽度tp受TJ,max限制;
单脉冲雪崩能量:起始TJ = 25°C
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