【产品】1200V/40A/80mΩ碳化硅功率MOSFET G1M080120S,导通电阻与温度密切联系
泰科天润推出1200V/40A/80mΩ碳化硅功率MOSFET G1M080120S,漏源电压最大额定值1200V(VGS = 0 V, ID = 100 μA条件下)。器件在VGS = 20 V, TC = 25˚C条件下的连续漏极电流为40A,漏源导通电阻典型值为80mΩ(VGS = 20 V, ID = 20 A条件下),工作结温和存储温度范围宽至-55 ~ +220˚C,采用SMD1.0封装,具有低导通电阻,低电容和高速开关特性,可用于太阳能逆变器,开关电源和高压DC / DC转换器等领域。
图1 外观和内部电路
特性:
•低导通电阻,高阻断电压特性
•低电容,高速开关特性
•易于并联和驱动
•坚固耐用
优势:
•导通电阻与温度密切联系
•快速且坚固的体二极管
•低电容
•易驱动
应用:
•太阳能逆变器
•开关电源
•高压DC / DC转换器
•电池充电器
•电机驱动器
•脉冲电源应用
包装信息:
尺寸信息:
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