【产品】1200V/40A/80mΩ碳化硅功率MOSFET G1M080120S，导通电阻与温度密切联系
泰科天润推出1200V/40A/80mΩ碳化硅功率MOSFET G1M080120S，漏源电压最大额定值1200V（VGS = 0 V, ID = 100 μA条件下）。器件在VGS = 20 V, TC = 25˚C条件下的连续漏极电流为40A，漏源导通电阻典型值为80mΩ（VGS = 20 V, ID = 20 A条件下），工作结温和存储温度范围宽至-55 ~ +220˚C，采用SMD1.0封装，具有低导通电阻，低电容和高速开关特性，可用于太阳能逆变器，开关电源和高压DC / DC转换器等领域。
图1 外观和内部电路
特性：
•低导通电阻，高阻断电压特性
•低电容，高速开关特性
•易于并联和驱动
•坚固耐用
优势：
•导通电阻与温度密切联系
•快速且坚固的体二极管
•低电容
•易驱动
应用：
•太阳能逆变器
•开关电源
•高压DC / DC转换器
•电池充电器
•电机驱动器
•脉冲电源应用
包装信息：
尺寸信息：
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