【产品】TMA6N100L, TMP6N100L N沟道MOSFET，漏源电压1000V，具有快速开关的性能特点

时间： 2020-11-26 来源：无锡紫光微

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由无锡紫光微公司推出的TMA6N100L, TMP6N100L 两款N沟道MOSFET。其漏源电压1000V，具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能。两款产品的主要差异在于封装形式，具体请参照下图。主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。

图1 产品封装示意图

TMA6N100L, TMP6N100L两款N沟道MOSFET最大额定值（除非另有规定，否则Ta=25℃）：

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.I_AS = 4A, V_DD = 50V, R_G= 25 Ω，开始T_J = 25℃

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1％

TMA6N100L, TMP6N100L两款N沟道MOSFET的设备标记和包装信息:

机械尺寸图：

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