【产品】正向电压低至1.35V SiC肖特基势垒二极管SCS3，非常适用于各种电源装置的PFC电路

时间： 2018-08-27 来源：ROHM

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全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路的、第3代SiC（Silicon Carbide:碳化硅）肖特基势垒二极管(以下称"SiC-SBD") "SCS3系列"。

SiC肖特基势垒二极管SCS3实物图

本产品采用新结构，不仅继承了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压(VF=1.35V、25℃)的特性，同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此，还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路，非常有助于提高应用的效率。

近年来，在太阳能发电系统、工业用各种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域，为提高功率转换效率以实现进一步节能，更高效率的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比，具有优异的材料特性，在这些领域中的应用日益广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源效率的设备电源中，SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效率。在这些用途中，抗浪涌电流特性成为重要的参数。一直以来，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用范围，ROHM 采用新产品结构，成功开发出保持业界最高水平的低VF特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。

绝对最大额定值
		ROHM 第3代 SiC-SBD	ROHM 第2代 SiC-SBD
抗浪涌电流特性 10msec, sin wave TO-220AC package		82A	40A
电气特性
VF(V) Typ.	Tj=25℃	1.35	1.35
VF(V) Typ.	Tj=150℃	1.44	1.55
IR(µA) Typ.	Tj=25℃	0.03	2
IR(µA) Typ.	Tj=150℃	2	30

SiC肖特基势垒二极管SCS3系列特点：

1.保持低VF特性，实现高抗浪涌电流能力

此次开发的第3代SiC-SBD"SCS3系列"，为实现高抗浪涌电流能力，采用了JBS（Junction Barrier schottky）结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结构，而ROHM的第3代最新产品，不仅具备以往产品的特点，而且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低VF特性，将作为更高性能的产品大展身手。

2. 实现业界最低的正向电压（VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃）

ROHM的第2代SiC-SBD，通过改善工艺和产品结构，实现了业界最低的正向电压。在高温条件下，本产品的VF值比第2代产品更低，导通损耗更低，效率更高。

低泄漏电流特性

3. 低泄漏电流特性

一般情况下，降低正向电压会导致反向漏电流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD产品采用JBS结构，成功减少漏电流并降低正向电压。本产品在额定电压下的漏电流与第2代SiC-SBD相比，低至约1/20(650V、Tj=150℃时)。

SiC肖特基势垒二极管SCS3系列产品阵容

封装	耐压	正向电流（IF）
封装	耐压	2A	4A	6A	8A	10A
TO-220ACP	650V	☆SCS302AP	☆SCS304AP	SCS306AP	SCS308AP	SCS310AP
TO-263AB D2pak(LTPL)	650V	☆SCS302AJ	☆SCS304AJ	☆SCS306AJ	☆SCS308AJ	☆SCS310AJ

☆：开发中

SiC肖特基势垒二极管SCS3系列应用

计算机、服务器、空调等高端电源设备内的PFC电路

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Fiona Lv5. 技术专家 2018-11-07

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hhjss Lv7. 资深专家 2018-11-05

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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-11-02

不错
游来游去 Lv8. 研究员 2018-10-04

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海锋 Lv9. 科学家 2018-09-27

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terrydl Lv9. 科学家 2018-08-27

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自主知识产权 Lv7. 资深专家 2018-08-27

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用户84786367 Lv8. 研究员 2018-08-27

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