【产品】180mOhm的大功率氮化镓功率芯片TP44200NM,额定电压650V/800V

2022-08-27 泰高
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泰高新一代氮化镓功率芯片TP44200NM问世,作为一款全新额定电压650V/800V的大功率Superior GaN功率芯片,TP44200NM将满足中功率移动设备和消费类电力电子市场的需求,加速淘汰低速开关频率的传统硅芯片,抢占中功率充电市场。这款180mOhm TP44200NM采用5x7mm小型QFN封装,拥有专利的集成散热垫,适用于高效率,高功率密度的电源系统,电流承载能力提高了50%。

氮化镓(GaN)是新一代半导体材料,其运行速度比旧的慢速硅(Si)器件快100倍,在传统硅充电器一半的体积和重量情况下,氮化镓充电器的输出功率和充电速度与前者相比均可提升三倍。Superior GaN功率芯片集成了GaN功率器件,驱动器以及保护和控制功能,实现了使用简单,体积小,速度快,较高功率的性能。

TP44200NM与竞争对手的解决方案不同,不需要额外设计20V电源给GaN驱动器供电,这样就能替工程师省去麻烦。TP44200NM的GaN驱动器的电源可以搭配Superior GaN的专用电路从PWM主控芯片的Drive Pin取电。TP44200NM搭配Superior GaN的专用电路能支持的大部分的QR控制器芯片,例如onsemi NCP1342/南芯SC3021/必易微KP2206和KP2202/Silergy SY5020等芯片,这对主控芯片限制就大大减低。这样的设计对于工程师大大降低的设计困难,以提高产品可靠性。


与竞争对手的解决方案不同,TP44200NM的额定工作电压为650V,此外还具有800V的峰值电压能力,可在瞬态事件期间稳定运行。作为真正的功率芯片,GaN栅极得到了全面保护,整个器件满足2kV行业领先的静电放电(ESD)规格。TP44200NM在专利的封装设计下,其产品性能与散热还优于竞争对手的设计。

于从事电力电子设计的工程师而言,TP44200NM Superior GaN氮化镓功率芯片为65~200W应用提供了更易于使用,且高速高效的解决方案,如电脑一体机,电视,游戏机,电动滑板车,电动自行车等电动交通工具的充电器,游戏笔记本电脑等其他设备的充电器等。


泰高技术的研发团队源于国际整流器公司(IR) ,早在2010年就承继IR处于国际领先的氮化镓成果开始继续研制并销售先进氮化镓芯片。泰高技术的全球设计中心位于美国芝加哥(Chicago) 近郊的阿灵顿高地 (Arlington Heights) ,在印度加尔各答(Kolkata)拥有研发设计分部,全球研发人员超过50位, 其中约40 位拥有博士学位。泰高技术研发团队致力于开发宽禁带技术的颠覆性解决方案,拥有众多创新专利技术、芯片 IP 以及自有知识产权的设备,能显著降低客户端系统级解决方案的复杂性、 体积、重量和功耗等相关问题。

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