【产品】600V高电压N沟道MOSFET FP11W60C3,FP20W60C3，中大功率电源应用理想选择

时间： 2018-05-10 来源：SHINDENGEN

技术问答

FP11W60C3/FP20W60C3是新电元公司推出的性能优异的面向开关电源的N沟道MOSFET，相比于P沟道MOS管，拥有更小的导通电阻。最大漏源电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为11.0/20.0A，体积小巧同时适合大规模批量生产，具有绝缘封装、高电压、高开关速率、低导通电阻的特点，是中大功率电源类应用的理想选择。可应用于开关电源，继电器驱动，负载/电源开关等应用。

该产品采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为ITO-3P，是一款具体尺寸为40.0mm（W）X15.0mm（H）X5.5mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。

图1 FP11W60C3/FP20W60C3外部视图

FP11W60C3/FP20W60C3的最大栅源电压VGSS为±30V，最大耗散功率Pd为45.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.34/0.16Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为45.0/87.0nC。

图2 FP11W60C3/FP20W60C3典型输出特性及转移特性曲线

FP11W60C3/FP20W60C3的主要特点：

• 最大漏源电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅源电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流（DC）Id为11.0/20.0A，最大耗散功率Pd为45.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.34/0.16Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为45.0/87.0nC

• 采用ITO-3P封装, 尺寸大小为40.0mm（W）X15.0mm（H）X5.5mm（D）

FP11W60C3/FP20W60C3的典型应用：

• 开关电源

• 继电器驱动

• 负载/电源开关

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