【应用】SiC FET UJ3C065080B3用于微逆无功补偿，匹配常规Si FET门极驱动IC

时间： 2021-02-23 来源：世强

技术问答

光照强度、温度变化等会影响光伏板发电量而引起电网电压波动，从而影响电网的稳定运行。无功补偿电路，能够通过调节电压的幅值和相位，或者控制交流侧电流，从而实现动态调节无功的目的，保障电力系统稳定、高效运行。本文介绍UnitedSiC的SiC FET UJ3C065080B3，可用于微型逆变器无功补偿部分，具有标准栅极驱动特性，允许对Si器件进行真正的“替代”，同时保留SiC FET开关特性，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，极大降低开关时的损耗。

图1——UJ3C065080B3封装及内部参考原理图

微逆一般体积较小，内部空间有限，UJ3C065080B3为D2PAK-3L封装，相对于直插封装产品更能节省空间，减小系统高度。MOSFET与 SiC JFET一同封装，实现了常关运行，简化了栅极驱动，栅极耐压为-25V~25V，能够匹配常规的Si FET门极驱动IC；内部自带ESD保护，可极大程度上保护门极在运输和安装过程中的静电损坏。

图2——UJ3C065080B3规格书主要参数

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-02-23

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UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南

目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes

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选型指南 - UNITEDSIC - 2022/4/22 PDF 英文下载

1200V Gen 4 SiC FETs with industry-best performance deliveroptimal SiC power solutions to high-voltage markets

型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC

商品及供应商介绍 - UNITEDSIC - May 2022 PDF 英文下载

SiC FET User Guide

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SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

原厂动态发布时间 : 2022-06-21

具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案

UnitedSiC扩充了1200V产品系列，将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。

原厂动态发布时间 : 2022-06-29

UnitedSiC SiC FET User Guide

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UnitedSiC SiC FET User Guide

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UnitedSiC SiC FET User Guide

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UnitedSiC SiC FET User Guide

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