【产品】基于ARM Cortex®-M0+内核的32位MCU BAT32G1x9，主频最高64MHz

时间： 2022-04-22 来源：中微半导体

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专注于数模混合信号芯片、模拟芯片研发创新的中微半导体（以下简称中微半导）日前宣布，扩展旗下超低功耗BAT系列32位单片机（32位MCU）产品，新器件BAT32G1x9系列基于ARM Cortex®-M0+内核，提供卓越低功耗特性及丰富外设资源，支持512KB Flash，多达3个CAN接口，是工业控制、新能源、安防监控、智能家电及物联网等应用的理想选择。

BAT32G1x9系列采用ARM Cortex®-M0+内核，主频最高64MHz，配备最大512KB Flash存储空间和64KB SRAM，满足OTA升级等对存储资源需求较高的场合。BAT32G1x9内置单周期32位乘法器和硬件除法器，相较BAT其他系列产品，性能全面优化并提升。

BAT32G1x9系列带来全新MCU阵容，包含BAT32G139和BAT32G179两大系列6个型号，产品涵盖从48引脚到100引脚封装，内存和引脚数轻松兼容和扩展至其他BAT系列产品，方便开发人员在项目设计不同阶段灵活导入。

BAT32G1x9系列针对新能源、工业控制等行业应用，集成更为丰富的外设资源，支持多达3个CAN总线接口、TFT LCD总线接口，支持专门用于电机控制的定时器，同时提供丰富通信接口，支持最多4个UART，10个SPI和10个I2C接口，支持LIN总线，可满足工业应用对MCU复杂通信、高稳定性和高可靠性的苛刻要求。

BAT32G1x9系列集成丰富的模拟外设资源，在性能效率和系统集成方面实现完美平衡，内置包括1个12Bit ADC，2个8Bit DAC，2个比较器，以及2个可编程增益放大器，轻松实现高速高精度信号转换及数据传输。在确保高性能的同时，BAT32G1x9传承了中微半导BAT系列优异的低功耗性能表现。BAT32G1x9支持多种低功耗模式，在深度休眠模式下，电流低至0.8uA，支持1.8~5.5V超宽工作电压范围，符合工业等级-40℃~105℃工作温度与高抗噪声的性能要求，完美解决工业客户对芯片高性能、低功耗的需求。

此外，BAT32G1x9系列还具备高级安全特性，内置闪存CRC运算、SFR保护功能、RAM 奇偶校验等多种安全功能，符合IEC/UL 60730相关标准。

开发支持
BAT32G1x9系列为开发人员带来明显的开发优势，包括引脚、软件、外设兼容及开发板、开发工具等，并支持Keil、IAR、GCC等第三方开发环境，其一脉相承的管脚可扩展性及灵活配置性的优势，可加速开发平台切换进程，简化项目开发难度并有效加快产品上市周期。

BAT32G1x9系列提供BAT32G1x9 EVB及Start Kit评估板。BAT32G1x9 EVB基于最小系统板板载CMS-ICE8 OB调试器，集成虚拟串口功能，简化调试连接。BAT32G1x9 Start Kit评估板，搭载TFT LCD触摸屏、CAN收发器、LIN收发器、陀螺仪及SPI Flash等丰富外围器件，适用于系列芯片性能全面评估。目前，BAT32G1x9系列已经正式投入量产并供货。

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finemems Lv7. 资深专家 2022-04-27

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kit Lv7. 资深专家 2022-04-27

学习了
小康 Lv7. 资深专家 2022-04-26

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84905662ll Lv4. 资深工程师 2022-04-26

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zwjiang Lv9. 科学家 2022-04-26

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101 Lv4. 资深工程师 2022-04-26

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