【应用】隔离芯片SI8641ED-B-IS在电池检测设备SPI通讯隔离上的应用
目前的电池检测设备涉及到主从之间的信号隔离，往往会用到SPI的通讯协议，另外从安全的角度，在主从芯片之间会加隔离芯片，确保强弱电之间的隔开，保证系统的可靠性。从控制方面，希望隔离信号的延时时间低，速率相对高，所以需要高速的隔离芯片来做设计。SILICON LABS推出的SI8641ED-B-IS可以满足电池检测设备SPI通讯隔离需求，性价比高。
针对电池检测设备的SPI通讯，SI8641ED-B-IS属于三正一反的信号隔离，如图1所示，该芯片可以用来做主从的SPI通讯隔离，采用内部容隔离加RF载频调制的技术，可以使芯片的通讯速率达到150Mbps，延时时间低于10ns；满足SPI通讯对信号的要求。
图1 SI8641ED-B-IS引脚定义图
该隔离芯片还具有EN功能，可以控制输出侧的状态，为高时芯片可以正常输出，为低时无信号输出，设计者可以通过EN引脚来控制输出的逻辑电平状态。
针对芯片电源供电电源的设计，建议设计时利用LDO进行电压转换来实现供电电源的稳定，通常建议供电在5V或者3.3V，如果怕电源的电压波动，可以做个RC滤波稳压。
从可靠性考虑，SI8641ED-B-IS的隔离电压可以做到5KV，工作温度支持-40℃-125℃，可以满足该芯片在电池化成检测设备对工作温度及隔离耐压的需求，另外相比光耦及磁耦的芯片，成本上低。作为电池检测设备的SPI信号隔离，SI8641ED-B-IS可以为设计者带来高可靠性及低成本的需求。
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